单轴应变Si材料价带结构研究的任务书.docx
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双轴应变Si应变SiGe CMOS关键技术研究的任务书.docx
双轴应变Si应变SiGeCMOS关键技术研究的任务书任务书一、研究背景随着半导体技术的不断发展,集成电路芯片已经成为当今信息化社会中不可或缺的基础设施,而CMOS技术则是当前主流的集成电路制造技术。然而,传统CMOS技术存在着一些局限性,如功耗过高、速度限制、抗干扰能力不足等问题,这极大地制约了芯片性能的提高和应用场景的扩展。在此背景下,人们开始探索新的CMOS技术,以便克服传统技术的局限性。双轴应变Si应变SiGeCMOS技术是近年来发展起来的一种新型集成电路制造技术,它能够增强电子的迁移率,减小电子的