双轴应变Si应变SiGe CMOS关键技术研究的任务书.docx

双轴应变Si应变SiGeCMOS关键技术研究的任务书
任务书
一、研究背景
随着半导体技术的不断发展，集成电路芯片已经成为当今信息化社会中不可或缺的基础设施，而CMOS技术则是当前主流的集成电路制造技术。然而，传统CMOS技术存在着一些局限性，如功耗过高、速度限制、抗干扰能力不足等问题，这极大地制约了芯片性能的提高和应用场景的扩展。在此背景下，人们开始探索新的CMOS技术，以便克服传统技术的局限性。
双轴应变Si应变SiGeCMOS技术是近年来发展起来的一种新型集成电路制造技术，它能够增强电子的迁移率，减小电子的传输阻力，进而提高电子设备的速度和能效比。该技术主要应用于微处理器、存储器芯片等高性能电子芯片。
二、研究目标
本项目旨在探究双轴应变Si应变SiGeCMOS技术的关键技术，具体目标如下：
1.研究原理和机理：通过对相关研究文献的综述和实验探索，深入掌握双轴应变Si应变SiGeCMOS技术的原理和机理，包括应变效应、电子迁移率的变化规律等。
2.制备工艺研究：根据研究目标1的基础上，结合相关实验数据，探讨双轴应变Si应变SiGeCMOS技术的制备工艺，主要包括气相外延、光刻、离子注入等。
3.电性能参数测试：通过相关测试实验和数据分析，探究双轴应变Si应变SiGeCMOS技术的性能参数，包括电子迁移率、功耗、速度等参数。
4.设计验证：基于所研究的原理、制备工艺和性能参数，完成实验芯片的设计、制造和测试，验证所研究的双轴应变Si应变SiGeCMOS技术的性能优势和应用前景。
三、研究内容
1.双轴应变Si应变SiGeCMOS技术的原理和机理研究，主要包括以下内容：
（1）应变效应的原理
（2）电子迁移率的变化规律
（3）SiGe的应用及制备方法
2.双轴应变Si应变SiGeCMOS技术的制备工艺研究，主要包括以下内容：
（1）气相外延制备SiGe层和Si层
（2）光刻制备双轴应变结构
（3）离子注入改变晶格结构
3.双轴应变Si应变SiGeCMOS技术的性能参数测试，主要包括以下内容：
（1）电子迁移率测试
（2）功耗测试
（3）速度测试
4.实验芯片的设计、制造和测试，验证双轴应变Si应变SiGeCMOS技术的性能优势和应用前景，主要包括以下内容：
（1）实验芯片的设计和制造
（2）实验芯片的性能测试
（3）实验数据分析和结论
四、研究计划
1.前期研究：2019年10月-2020年3月
掌握双轴应变Si应变SiGeCMOS技术的相关文献和实验资料，进行原理和机理研究，制定详细的制备工艺方案，并进行前期的小试验。
2.中期研究：2020年4月-2020年9月
根据前期研究成果，开展双轴应变Si应变SiGeCMOS技术的制备工艺研究，进行材料制备、光刻和注入等关键工艺的优化。
3.后期研究：2020年10月-2021年3月
完成双轴应变Si应变SiGeCMOS技术的性能参数测试，分析实验数据并撰写研究报告。同时，完成实验芯片的设计、制造和测试，验证所研究的双轴应变Si应变SiGeCMOS技术的性能优势和应用前景。
五、研究经费
本研究由XX学院承担，总经费为XX万元，具体分配如下：
1.设备费：XX万元，用于购买实验所需的气相外延设备、光刻设备和离子注入设备等。
2.材料费：XX万元，用于购买实验所需的SiGe材料、Si材料和掩膜等。
3.工作人员费用：XX万元，用于支付实验人员的薪资。
4.其他费用：XX万元，用于实验室管理、差旅费等其他支出。
六、研究成果
1.本研究的主要学术成果将撰写成学术论文，探讨双轴应变Si应变SiGeCMOS技术的关键技术研究成果，并发表在国内外知名学术期刊上。
2.本研究的主要实践成果将制造成实验芯片，并进行性能测试，以验证双轴应变Si应变SiGeCMOS技术的性能优势和应用前景。
3.本研究的主要交流成果将组织相关专家、学者进行学术交流和研究成果报告会，以促进该技术在相关领域的推广应用和创新研究。