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p-ZnO薄膜和ZnO发光器件的制备与研究的中期报告
1.研究背景
氧化锌（ZnO）是一种具有广泛应用前景的半导体材料，具有宽能隙、高光电转换效率、优异的机械性能、生物相容性以及光致电流效应等特点。其中，p型ZnO的制备一直是研究重点。同时，基于ZnO的发光器件也成为了近几年热门研究课题之一。
2.研究目的
本研究旨在探究p-ZnO薄膜和ZnO发光器件的制备方法以及其结构和性能特点，并研究其在光电、传感等方面的应用。
3.研究内容与方法
本研究首先采用磁控溅射法制备p-ZnO薄膜，研究其结构和电学性质；其次，采用脉冲激光沉积（PLD）法制备ZnO发光器件，并研究其发光性能、电学性能及其机制。
4.研究进展与结果
（1）制备了不同掺杂浓度的p型ZnO薄膜，经XRD、SEM、TEM等手段表征，发现随着掺杂浓度的增加，p-ZnO薄膜的电学性能逐渐变好，但晶体质量下降。
（2）利用PLD法制备了基于p-ZnO薄膜的ZnO发光器件，测量了其电学性能和发光光谱。研究发现掺杂p型ZnO薄膜可以改善ZnO发光器件的光电性能和稳定性。
5.研究意义和展望
本研究对深入了解p-ZnO薄膜和ZnO发光器件的结构和性能，开发新型光电器件具有重要意义。未来，我们将进一步研究p-ZnO薄膜和ZnO发光器件的制备方法和应用，为其在光电转换、传感等领域的应用提供更好的基础。