ZnO基薄膜和器件的制备及性能研究的中期报告.docx

ZnO基薄膜和器件的制备及性能研究的中期报告
本中期报告主要介绍了针对ZnO基薄膜和器件的制备及性能研究所做的工作和取得的结果。具体内容如下：
1.ZnO基薄膜的制备
采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备ZnO基薄膜。优化了制备工艺参数，得到了表面质量较好、晶粒细小、晶格匹配的ZnO基薄膜。
2.ZnO基薄膜的表征
利用X射线衍射仪、原子力显微镜和透射电子显微镜等技术对ZnO基薄膜进行了表征。结果表明，制备的ZnO基薄膜具有高结晶度、均匀性好、微观形貌规整等性质。
3.ZnO基场效应晶体管的制备和性能研究
采用光刻和蒸发技术制备了ZnO基场效应晶体管，并测试了其电学特性。通过实验发现，在合适的工艺条件下可以得到较高的电流增益和比较宽的工作范围。
4.ZnO基发光器件的制备和性能研究
采用溅射法在n型ZnO基薄膜上沉积p型材料，制备了ZnO基发光器件，并测试了其光电特性。实验结果表明，制备的ZnO基发光器件具有较高的光电转换效率和较好的发光特性。
综上所述，本研究在ZnO基薄膜和器件的制备及性能研究方面取得了一系列重要进展。下一步将继续探究ZnO材料的物理和化学性质，为ZnO基器件在先进光电子、能源等方面的应用提供支持。