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ZnO薄膜的制备和紫外探测器的研究的中期报告
一、制备方法
本研究采用物理气相沉积法（PVD）制备ZnO薄膜。制备过程分为以下几个步骤：
1.清洗基片：用丙酮、去离子水和乙醇分别超声清洗10分钟，然后干燥。
2.真空平衡：将基片置于真空室中，抽真空至10-3Pa以下，保持10分钟左右。
3.制备ZnO薄膜：在真空室中加热ZnO基底，使其升华并沉积于基片表面，形成薄膜。
4.退火处理：将沉积后的薄膜置于热板上，在高温下退火处理，促进晶体生长并提高薄膜结晶度。
二、表征结果
1.扫描电子显微镜（SEM）：观察到薄膜表面比较光滑，无明显晶粒或裂纹。
2.X射线衍射（XRD）：观察到薄膜具有六方晶系结构，晶面指数为（002）。
3.紫外-可见吸收光谱：发现ZnO薄膜具有明显的能隙特性，吸收峰位于近紫外光区域。
三、紫外探测性能
本研究采用电极材料为Au的金属-半导体-金属结构（MSM）紫外探测器，测试结果如下：
1.光谱响应：在紫外光波段（320-400nm）范围内，探测器光电流随入射光强度的增加而增大。
2.响应时间：探测器响应时间为17.5ms，响应速度较快。
3.灵敏度：探测器最大灵敏度为0.39A/W，表现出良好的光电转换性能。
四、结论和展望
本研究成功制备了ZnO薄膜并制成紫外探测器。探测器具有良好的紫外光响应和高灵敏度。下一步将继续优化探测器结构和制备条件，提高其性能并应用于实际应用领域。