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全耗尽SOIMOSFET的制作及其辐射加固的研究的综述报告
全耗尽SOI（FullyDepletedSOI）MOSFET是一种新型的MOSFET器件，具有低电压操作、低功耗和高速度等优点。它采用的是全耗尽技术，使得介质层全部被反型掺杂，进而使MOSFET完全耗尽，阻挡层变薄以实现高电压下的低漏电流。然而，SOIMOSFET在应用中会有一些问题，其中辐射加固就是重要问题之一。因此，本文将介绍全耗尽SOIMOSFET的制作以及针对辐射加固的一些相关研究。
全耗尽SOIMOSFET的制作：
全耗尽SOIMOSFET的制作基本分为两个步骤：SOI材料的制作和MOSFET的制作。SOI材料是指双层氧化硅层间存在一薄层硅层的结构，它比传统的晶体硅衬底具有更低的互扰、耐辐射性能更高、更小的电导率，因此在制作MOSFET时采用SOI材料可以增加器件的可靠性和性能。SOI材料制备主要有SIMOX法和SmartCut法两种方法，其中SIMOX法是较为常用的一种。在MOSFET制作中的一些关键工艺包括SiGe技术、低氯离子注入、SiN包膜隔离等技术，这些技术的应用可以提高MOSFET的性能和稳定性。
辐射加固的研究：
辐射加固是指MOSFET在高剂量辐射环境下的抗辐射能力。高剂量的电离辐射会导致MOSFET的阈值电压漂移、GFET效应、温度漂移等问题，导致器件性能的下降。因此，针对辐射加固问题的研究至关重要。现有的研究主要集中于以下几个方面：
1.堆叠硅SOIMOSFET技术
堆叠硅SOIMOSFET技术是较常见的一种提高MOSFET抗辐射能力的方法。在MOSFET的表面上会沉积一层薄的Ge或Si1-xGex堆垛膜，这种堆垛膜可以起到增强钝化层厚度、抑制辐射引起的氧化硅中的电子损伤过程和提高MOSFET抗辐射性的作用。这种方法可以针对不同的辐射剂量和类型进行优化。
2.表面钝化SOIMOSFET技术
表面钝化SOIMOSFET技术是另一种提高MOSFET抗辐射能力的方法。这种方法主要是通过特殊的表面氧化硅的生长工艺，可以形成一层氧化硅的内缘生长层，起到预先钝化的作用，提高MOSFET抗氧化损伤和抗辐射能力。
3.氮化层保护技术
氮化层保护技术是一种保护表面氧化硅的方法，该方法可以通过在表面氧化硅生长之前，形成一层薄的氮化硅膜，这种方法可以增加MOSFET的稳定性和抗辐射能力。
总之，全耗尽SOIMOSFET是一种新型的MOSFET器件，具有很多优点，但在实际应用中存在一些问题，包括辐射加固问题。目前研究表明，堆叠硅SOIMOSFET、表面钝化SOIMOSFET和氮化层保护技术等方法可以有效提高MOSFET的抗辐射能力。这些技术的应用将有助于提高MOSFET的可靠性和稳定性。