全耗尽SOI MOSFET的制作及其辐射加固的研究的中期报告.docx

全耗尽SOIMOSFET的制作及其辐射加固的研究的中期报告
本研究旨在研究全耗尽SOIMOSFET的制作及其辐射加固，以提高器件的可靠性和抗辐射性能。研究已完成一部分，以下是中期报告：
1.全耗尽SOIMOSFET的制作
我们采用标准的SOI制程，制作了n型全耗尽SOIMOSFET。其中，我们使用了特殊的掺杂工艺和局部氧化工艺，以实现全耗尽的特性。器件的关键特性包括漂移区厚度、栅氧化层厚度和通道长度等。
2.辐射加固
我们对器件进行了不同剂量的电子辐照，观察到了器件性能的变化。我们发现，随着剂量的增加，器件的阈值电压降低，漏电流和亚阈值摆幅增加，同时也观察到了反向漏电流的增加。为了提高器件的抗辐射性能，我们采取了不同的加固措施，包括掺杂和氧化层增加等。
3.结论
通过对全耗尽SOIMOSFET的制作和辐射加固的研究，我们得出了以下结论：
-全耗尽SOIMOSFET可以通过特殊的工艺实现。
-电子辐照会对器件性能造成影响，需要进行加固措施。
-采用掺杂和氧化层增加等加固措施可以提高器件的可靠性和抗辐射性能。
继续研究将着重于提高器件的抗辐射性能和稳定性，以适用于更为严峻的辐射环境下的应用。