一种半导体晶粒的切割方法和切割装置.pdf
岚风****55
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一种半导体晶粒的切割方法和切割装置.pdf
本发明涉及半导体晶粒加工技术领域,名称是一种半导体晶粒的切割方法和切割装置,一种半导体晶粒的切割方法,在切割机上采用切割的方法对晶棒进行切割,所用的切割丝是金刚砂丝,所述的金刚砂丝是钢丝外面附着有金刚砂的丝线结构,一种半导体晶粒的切割装置,包括机架,在机架上安装有切割丝的辊轮,还有切割丝安装在辊轮上,切割丝连接动力装置,动力装置运行带动切割丝运行,切割丝运形经过晶棒的加工工位,所述的切割丝是钢丝外面附着有金刚砂的丝线结构。这样的半导体晶粒的线切割方法和切割装置具有减少对环境污染、切割效率高、产品品质有保证
切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法.pdf
本发明公开一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜具备:基材层、具有与基材层相向的第1面及与其相反侧的第2面的压敏胶黏剂层及以覆盖第2面的中央部的方式设置的胶黏剂层。压敏胶黏剂层具有第1区域和第2区域,所述第1区域包括与胶黏剂层中的晶圆的贴附位置对应的区域,所述第2区域以包围第1区域的方式设置,第1区域为呈与第2区域相比胶接力下降的状态的区域。在压敏胶黏剂层中,在规定条件下所测定的压敏胶黏剂层的第1区域对胶黏剂层的胶接力与压敏胶黏剂层的第2区域对胶黏剂层的胶接力之差为6.5~9.0N/25mm。
切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法.pdf
本发明公开一种切割晶粒接合一体型膜及其制造方法。切割晶粒接合一体型膜具备基材层、压敏胶黏剂层、及胶黏剂层,所述压敏胶黏剂层为具有与基材层相向的第1面及与其相反侧的第2面的、由活性能量射线固化型压敏胶黏剂组成的压敏胶黏剂层,所述胶黏剂层为以覆盖第2面的中央部的方式设置的胶黏剂层。活性能量射线固化型压敏胶黏剂包含具有可链聚合的官能团的(甲基)丙烯酸系树脂,官能团为选自丙烯酰基及甲基丙烯酰基的至少一种,(甲基)丙烯酸系树脂中的官能团的含量为0.4mmol/g以上。
切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法.pdf
本发明公开一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜具备:基材层、具有与基材层相向的第1面及与其相反侧的第2面的压敏胶黏剂层及以覆盖第2面的中央部的方式设置的胶黏剂层。压敏胶黏剂层具有第1区域和第2区域,所述第1区域包括与胶黏剂层中的晶圆的贴附位置对应的区域,所述第2区域以包围第1区域的方式设置,第1区域为呈与第2区域相比胶接力下降的状态的区域。在压敏胶黏剂层中,在规定条件下所测定的压敏胶黏剂层的第1区域对胶黏剂层的胶接力与压敏胶黏剂层的第2区域对胶黏剂层的胶接力之差为6.5~9.0N/25mm。
进给装置、切割装置和切割方法.pdf
本发明公开了一种进给装置、切割装置和切割方法,包括凸轮、驱动机构、第一传动组件、第二传动组件、与所述第一传动组件连接的第一刀轮和与所述第二传动组件连接的第二刀轮,所述第一传动组件、第二传动组件分别与所述凸轮的工作面的两端贴合,所述驱动机构用于驱动所述凸轮转动,所述第一传动组件、第二传动组件分别用于将凸轮的转动运动转换为第一刀轮、第二刀轮的直线运动,所述第一刀轮和第二刀轮的直线运动的方向相反。本发明将凸轮的转动运动转换为第一刀轮、第二刀轮的相反的直线运动,从而实现一个进给装置分别驱动两个刀轮在Z方向上的进给