切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法.pdf
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切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法.pdf
本发明公开一种切割晶粒接合一体型膜及其制造方法。切割晶粒接合一体型膜具备基材层、压敏胶黏剂层、及胶黏剂层,所述压敏胶黏剂层为具有与基材层相向的第1面及与其相反侧的第2面的、由活性能量射线固化型压敏胶黏剂组成的压敏胶黏剂层,所述胶黏剂层为以覆盖第2面的中央部的方式设置的胶黏剂层。活性能量射线固化型压敏胶黏剂包含具有可链聚合的官能团的(甲基)丙烯酸系树脂,官能团为选自丙烯酰基及甲基丙烯酰基的至少一种,(甲基)丙烯酸系树脂中的官能团的含量为0.4mmol/g以上。
切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法.pdf
本发明公开一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜具备:基材层、具有与基材层相向的第1面及与其相反侧的第2面的压敏胶黏剂层及以覆盖第2面的中央部的方式设置的胶黏剂层。压敏胶黏剂层具有第1区域和第2区域,所述第1区域包括与胶黏剂层中的晶圆的贴附位置对应的区域,所述第2区域以包围第1区域的方式设置,第1区域为呈与第2区域相比胶接力下降的状态的区域。在压敏胶黏剂层中,在规定条件下所测定的压敏胶黏剂层的第1区域对胶黏剂层的胶接力与压敏胶黏剂层的第2区域对胶黏剂层的胶接力之差为6.5~9.0N/25mm。
切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法.pdf
本发明公开一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜具备:基材层、具有与基材层相向的第1面及与其相反侧的第2面的压敏胶黏剂层及以覆盖第2面的中央部的方式设置的胶黏剂层。压敏胶黏剂层具有第1区域和第2区域,所述第1区域包括与胶黏剂层中的晶圆的贴附位置对应的区域,所述第2区域以包围第1区域的方式设置,第1区域为呈与第2区域相比胶接力下降的状态的区域。在压敏胶黏剂层中,在规定条件下所测定的压敏胶黏剂层的第1区域对胶黏剂层的胶接力与压敏胶黏剂层的第2区域对胶黏剂层的胶接力之差为6.5~9.0N/25mm。
切割晶粒接合一体型膜及其品质管理方法以及半导体装置的制造方法.pdf
本发明公开了一种切割晶粒接合一体型膜的品质管理方法。该品质管理方法包括:第1工序,准备具备基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层的切割晶粒接合一体型膜,该基材层具有第1表面及与第1表面相反的一侧的第2表面,该压敏胶黏剂层设置于基材层的第2表面上且由光固化性压敏胶黏剂形成,该胶黏剂层设置于压敏胶黏剂层的与基材层相反的一侧;第2工序,对切割晶粒接合一体型膜的基材层的第1表面计算负载长度比tp;及第3工序,以负载长度比tp为指标,判定切割晶粒接合一体型膜的品质的良否。
半导体装置、半导体晶粒、和制造半导体晶粒的方法.pdf
一种半导体装置、半导体晶粒、和制造半导体晶粒的方法,半导体装置包含:一源极、和在第一方向与源极分隔开的漏极。通道层设置于在正交于第一方向的第二方向在源极和漏极的径向外表面上。记忆体层设置在通道层的径向外表面上。导孔设置在漏极的轴向端处,并且配置为将漏极电性耦合到全域漏极线。导孔包含导孔基部和导孔侧壁,导孔基部在由第一方向和垂直于第一方向的第二方向所定义的平面中延伸,此导孔基部被构造为接触对应的全域漏极线,导孔侧壁从导孔基部的外周边缘朝向漏极延伸。导孔定义内腔,在此内腔之内设置漏极的轴向端的至少一部分。