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切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法.pdf

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本发明公开一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜具备:基材层、具有与基材层相向的第1面及与其相反侧的第2面的压敏胶黏剂层及以覆盖第2面的中央部的方式设置的胶黏剂层。压敏胶黏剂层具有第1区域和第2区域,所述第1区域包括与胶黏剂层中的晶圆的贴附位置对应的区域,所述第2区域以包围第1区域的方式设置,第1区域为呈与第2区域相比胶接力下降的状态的区域。在压敏胶黏剂层中,在规定条件下所测定的压敏胶黏剂层的第1区域对胶黏剂层的胶接力与压敏胶黏剂层的第2区域对胶黏剂层的胶接力之差为6.5～9.0N/25mm。