一种微电极阵列的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106646048A(43)申请公布日2017.05.10(21)申请号201611206553.8(22)申请日2016.12.23(71)申请人中国科学院深圳先进技术研究院地址518055广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号(72)发明人吴天准李腾跃孙滨(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人郭晓宇(51)Int.Cl.G01R31/00(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称一种微电极阵列的制备方法(57)摘要本发明提供了一种微电极阵列的制备方法，包括：制备基底；在基底上制备第一柔性绝缘衬底，并通过干法刻蚀的方法对第一柔性绝缘衬底进行图形化；在第一柔性绝缘衬底上制备金属电连接结构；在金属电连接结构上制备一介电层，并通过干法刻蚀的方法将介电层图形化，使得介电层包裹住第一柔性绝缘衬底；在介电层上制备第二柔性绝缘衬底，并在第二柔性绝缘衬底上制备微电极阵列的金属结构；在微电极阵列的金属结构上制备第三层柔性绝缘衬底，并通过干法刻蚀的方法制备出微电极阵列的轮廓，释放出金属刺激电极点及焊接点，其中焊接点的通孔位置被刻穿，暴露出底层与其对应的金属电连接结构；将微电极阵列的焊接点与金属电连接结构焊接到一起；去除基底。CN106646048ACN106646048A权利要求书1/2页1.一种微电极阵列的制备方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1，制备基底；步骤2，在所述基底上制备第一柔性绝缘衬底，并通过干法刻蚀的方法对所述第一柔性绝缘衬底进行图形化；步骤3，在所述第一柔性绝缘衬底上制备金属电连接结构；步骤4，在所述金属电连接结构上制备一介电层，并通过干法刻蚀的方法将所述介电层图形化，使得所述介电层包裹住所述第一柔性绝缘衬底；步骤5，在所述介电层上制备第二柔性绝缘衬底，并在所述第二柔性绝缘衬底上制备微电极阵列的金属结构；步骤6，在所述微电极阵列的金属结构上制备第三层柔性绝缘衬底，并通过干法刻蚀的方法制备出所述微电极阵列的轮廓，释放出金属刺激电极点及焊接点，其中所述焊接点的通孔位置被刻穿，暴露出底层与其对应的金属电连接结构；步骤7，将所述微电极阵列的焊接点与所述金属电连接结构焊接到一起；步骤8，去除所述基底。2.根据权利要求1所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于，在所述步骤1中，选取硅片、氧化硅片或玻璃片作为所述基底。3.根据权利要求1所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于，在所述步骤2中，采用旋涂或沉积的方法制备所述第一柔性绝缘衬底在所述基底上，并进行热固化或紫外固化处理，所述第一柔性绝缘衬底的材料为聚酰亚胺或者聚对二甲苯。4.根据权利要求1所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于，在所述步骤3中，通过光刻、镀膜及剥离工艺，制备出底层附加的金属电连接结构，其一端设计成与所述微电极阵列焊接端相对应的结构，另一端设计为方便与测试设备相连的结构；所述金属电连接结构的材料为铝或金。5.根据权利要求1所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于，在所述步骤4中，采用物理气相沉积、化学气相沉积或者直接旋涂的方法制备所述介电层，所述介电层为二氧化硅、氮化硅或者光刻胶。6.根据权利要求1所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于，在所述步骤5中，所述微电极阵列的两端分别为所述金属刺激电极点和所述焊接点，每个所述金属刺激电极点和焊接点通过引线一一相连，其中所述焊接点具有通孔结构，且与底层的金属电连接结构的被焊接端在结构上一一对应。7.根据权利要求6所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于，所述微电极阵列的金属结构的材质选用钛、金或铂。8.根据权利要求4所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于，在步骤7中，采用铝丝焊接机或金丝球焊接机将所述微电极阵列的焊接点与所述金属电连接结构焊接到一起。9.根据权利要求8所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于，当电学测试完成后，若采用铝作为所述金属电连接结构的材料，且选用所述铝丝焊接机进行焊接，则采用湿法腐蚀去除掉铝，再将所述介电层腐蚀掉，即去除掉所述金属电连接结构。10.根据权利要求1所述的微电极阵列的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用反应离子刻蚀设备或者感应耦合等离子体刻蚀设备进行刻蚀，且刻蚀掩膜采用光刻胶或金2CN106646048A权利要求书2/2页属，其通过光刻、镀膜及剥离的方法制备。3CN106646048A说明书1/7页一种微电极阵列的制备方法技术领域[0001]本发明涉及生物医学工程领域，尤其涉及一种微电极阵列的制备方法，具体的讲是一种方便进行电学性能及机械性能测试的微电极阵列的制备方法。背景技术[0002]本部分旨在为权利要求书中陈述的本发明的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因