溅射镀膜学习课件.pptx

会计学23456789101112辉光放电图
141516173.射频辉光放电（5~30MHz的射频溅射频率下）

特征：（1）减少了放电对二次电子的依赖，降低了击穿电压
（2）溅射材料范围拓宽，可以溅射包括介质材料在内的任何材料

为了溅射沉积绝缘材料，将直流电源换成交流电源后由于交流电源的正负性发生周期交替，当溅射靶处于正半周时，电子流向靶面，中和其表面积累的正电荷，并且积累电子，使其表面呈现负偏压，导致在射频电压的负半周期时吸引正离子轰击靶材，从而实现溅射。
在射频溅射装置中，等离子体中的电子容易在射频场中吸收能量并在电场内振荡，因此，电子与工作气体分子碰撞并使之电离产生离子的概率变大，故使得击穿电压、放电电压及工作气压显著降低。
19202122232425262728（5）靶材温度
溅射率与靶材温度的依赖关系，主要与靶材物质的升
华能相关的某温度值有关，在低于此温度时，溅射率几乎不变。但是，超过此温度时，溅射率将急剧增大。(图3-15)

30313233343536373839/4142/44溅射镀膜的气体压力为101～10-1Pa,此时溅射粒子的平均自由程为1～10cm，因此，靶与基片的距离应与该值大致相等。否则，溅射粒子在迁移过程中将发生多次碰撞，这样，既降低了靶材原子的动能，又增加靶材的散射损失。

尽管溅射原子在向基片的迁移输运过程中，会因与工作气体分子碰撞而降低其能量，但是，由于溅射出的靶材原子能量远远高于蒸发原子的能量，所以溅射过程中淀积在基片上靶材原子的能量仍比较大，其值相当于蒸发原子能量的几十至上百倍。
46474849505152（4）溅射原子的能量比蒸发原子的大许多倍；(图3-16)

（5）入射原子的能量低时，溅射原子角度分布就不完全符
合于余弦分布规律。角分布还与入射离子方向有关。
从单晶靶溅射出来的原子趋向于集中在晶体密度最大
的方向。(图3-22、3-23、3-24)

（6）因为电子的质量小，所以，即使用具有极高能量的电
子轰击靶材时，也不会产生溅射现象。
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