基板减薄装置、减薄基板的方法以及制造半导体封装的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106985060A(43)申请公布日2017.07.28(21)申请号201710037784.9H01L21/67(2006.01)(22)申请日2017.01.18H01L21/78(2006.01)(30)优先权数据10-2016-00059942016.01.18KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人崔相壹金昞豪崔洪硕(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人翟然(51)Int.Cl.B24B37/10(2012.01)B24B53/017(2012.01)B24B37/30(2012.01)B08B3/02(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图13页(54)发明名称基板减薄装置、减薄基板的方法以及制造半导体封装的方法(57)摘要基板减薄装置包括：能够支撑基板的工作盘；可旋转研磨装置，包括能够研磨被工作盘支撑的基板的轮顶端；清洁装置，配置为在研磨装置旋转的同时执行轮顶端的同步清洁。当使用基板减薄装置时，甚至可以以相当高的可靠性制造非常薄的半导体器件。CN106985060ACN106985060A权利要求书1/2页1.一种基板减薄装置，包括：工作盘，配置为支撑基板；可旋转的研磨装置，包括配置为研磨被所述工作盘支撑的所述基板的轮顶端；以及清洁装置，配置为在所述研磨装置处于旋转的同时执行所述轮顶端的同步清洁。2.根据权利要求1所述的基板减薄装置，其中所述清洁装置包括：加压装置，配置为对所述清洁中使用的清洁流体加压；以及喷嘴，配置为喷射所述清洁流体。3.根据权利要求2所述的基板减薄装置，其中所述清洁流体包括空气、氮(N2)、氦(He)、氖(Ne)、水、氨、酒精和其混合物中的至少一个。4.根据权利要求3所述的基板减薄装置，其中所述清洁流体是包括空气和水的混合物，以及所述喷嘴配置为雾化所述水。5.根据权利要求2所述的基板减薄装置，其中所述喷嘴配置为对准所述轮顶端。6.根据权利要求5所述的基板减薄装置，其中所述喷嘴包括第一子喷嘴和第二子喷嘴。7.根据权利要求6所述的基板减薄装置，其中所述第一子喷嘴和所述第二子喷嘴分别配置为对准所述轮顶端的不同部分。8.根据权利要求6所述的基板减薄装置，其中所述第一子喷嘴和所述第二子喷嘴配置为对准所述轮顶端的相同部分。9.根据权利要求2所述的基板减薄装置，其中所述研磨装置配置为使得所述轮顶端在所述基板的所述研磨期间不交叠所述基板的被研磨表面的至少一部分，以及所述喷嘴配置为对准所述轮顶端的不交叠所述被研磨表面的部分。10.根据权利要求1所述的基板减薄装置，其中所述工作盘具有锥形支撑表面，所述锥形支撑表面具有随着从所述工作盘的所述中心朝向所述工作盘的所述外圆周的距离增加而减小的高度，所述工作盘的所述中心具有峰值高度。11.根据权利要求1所述的基板减薄装置，其中所述工作盘配置为相对于所述基板的所述中心可旋转，以及所述基板的所述中心与所述研磨装置的旋转中心不一致。12.根据权利要求1所述的基板减薄装置，其中所述研磨装置配置为将所述基板的厚度减小400μm到760μm。13.根据权利要求1所述的基板减薄装置，其中所述清洁装置配置为至少在所述研磨装置操作的同时连续地可操作。14.一种减薄基板的方法，所述方法包括：将基板固定在工作盘上；通过旋转包括轮顶端的研磨装置而至少部分地研磨所述基板；以及执行所述轮顶端的同步清洁。15.权利要求14所述的方法，在将所述基板固定在所述工作盘上之前还包括：沿着所述基板的划片槽至少部分地切割所述基板；以及将保护膜附接在所述基板的有源表面上。16.根据权利要求14所述的方法，其中所述轮顶端的所述同步清洁包括朝向所述轮顶2CN106985060A权利要求书2/2页端喷射清洁流体。17.根据权利要求14所述的方法，其中所述轮顶端的所述同步清洁在所述基板的所述至少部分地研磨期间被执行。18.根据权利要求14所述的方法，其中所述基板的所述至少部分地研磨在所述轮顶端的所述同步清洁期间被执行。19.根据权利要求14所述的方法，其中所述基板的所述至少部分地研磨在所述基板的所述中心与所述基板相对于所述基板的所述中心的第一方向边缘之间的所述基板的区域上被执行。20.根据权利要求19所述的方法，其中通过所述研磨装置的所述旋转，所述研磨装置在从所述基板的所述中心朝向所述基板的所述第一方向边缘延伸的方向上与所述基板形成接触。21.根据权利要求19所述的方法，其中通过所述研磨装置的所述旋转，所述研磨装置在从所述基板的所述第一方向边缘朝向所述基板的所述中心延伸的方向上与所述基板形成接触。22.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：在基板的有源表面上形成半导体器件；将保护膜附接在所述基