用于晶片均匀性的轮廓凹坑和混合基座.pdf
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相关资料
用于晶片均匀性的轮廓凹坑和混合基座.pdf
本发明描述了基座组件,所述基座组件包括:基座基部;以及多个饼形蒙皮,所述多个饼形蒙皮在基座基部上。饼形锚件可以定位在基座基部的中心,以便在处理期间将所述饼形蒙皮保持于适当位置处。
用于蚀刻系统的晶片轮廓.pdf
基板蚀刻系统包含将晶片保持在面朝上方向上的支撑件、可横向移动跨越支撑件上的晶片的分配器臂(该分配器臂支撑输送端口以选择性地将液体蚀刻剂分配至晶片的顶面的一部分上)及监测系统,该监测系统包含可横向移动跨越支撑件上的晶片的探针。
用于估算多层晶片的非均匀变形的系统和方法.pdf
本发明涉及用于估算第一晶片(110)中的非均匀变形的方法,第一晶片通过分子附着力键合至第二晶片(120)。本发明方法包括对多个测量点进行记录的步骤,每一个测量点在局部上表示第一晶片的表面的水平;对第一晶片中经过多个测量点的表面轮廓进行限定的步骤;对第一晶片的表面轮廓进行处理以由此确定特征值的步骤;以及根据特征值对第一晶片中非均匀变形水平进行估算的步骤。本发明还包括能够估算该非均匀变形的装置(147)。
一种用于外延生长装置的多功能晶片衬底基座.pdf
本发明涉及半导体制造设备技术领域,旨在提供一种用于外延生长装置的多功能晶片衬底基座。该基座,包括基座主体,基座主体为圆盘;基座主体上表面分为一个内区以及至少三个外区,内区呈圆形位于基座主体中心,外区呈圆形,相邻的两个外区彼此相切且均与基座主体外缘相切;内区与外区重叠区域以外的内区圆周与每个外区圆周上,分别对称设有若干内部限位块与外部限位块;基座主体下表面设有若干凹槽以及支撑件,支撑件包含有与凹槽数量相等的支撑脚,支撑脚伸入凹槽内,以实现支撑件在基座主体上的固定。利用本产品进行的加工方式保留了单片式外延生长
锑化铟晶片的电学均匀性研究.docx
锑化铟晶片的电学均匀性研究锑化铟晶片的电学均匀性研究摘要:锑化铟(InSb)是一种重要的半导体材料,广泛应用于红外光电子学领域。本论文旨在研究锑化铟晶片的电学均匀性,并探讨影响电学均匀性的因素。通过实验和理论模拟等方法,我们发现材料制备过程、材料的结构和纯度对电学均匀性起到关键作用。本研究对于提高锑化铟晶片的电学性能以及未来红外光电子学器件的发展具有重要意义。1.引言锑化铟因其优越的光电特性和高电子迁移率而备受关注。然而,在现有的锑化铟晶片中,晶体的电学均匀性仍然是一个重要的挑战。理解电学均匀性的形成机制