一种用于外延生长装置的多功能晶片衬底基座.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109244030A(43)申请公布日2019.01.18(21)申请号201810741832.7(22)申请日2018.07.09(71)申请人浙江晶盛机电股份有限公司地址312300浙江省绍兴市上虞区通江西路218号申请人浙江求是半导体设备有限公司(72)发明人沈文杰傅林坚潘文博汤承伟麻鹏达董医芳章杰峰(74)专利代理机构杭州中成专利事务所有限公司33212代理人周世骏(51)Int.Cl.H01L21/687(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种用于外延生长装置的多功能晶片衬底基座(57)摘要本发明涉及半导体制造设备技术领域，旨在提供一种用于外延生长装置的多功能晶片衬底基座。该基座，包括基座主体，基座主体为圆盘；基座主体上表面分为一个内区以及至少三个外区，内区呈圆形位于基座主体中心，外区呈圆形，相邻的两个外区彼此相切且均与基座主体外缘相切；内区与外区重叠区域以外的内区圆周与每个外区圆周上，分别对称设有若干内部限位块与外部限位块；基座主体下表面设有若干凹槽以及支撑件，支撑件包含有与凹槽数量相等的支撑脚，支撑脚伸入凹槽内，以实现支撑件在基座主体上的固定。利用本产品进行的加工方式保留了单片式外延生长装置生长外延层良好厚度和电阻率均匀性的优点，生长出的外延层的质量优于多片式外延生长装置。CN109244030ACN109244030A权利要求书1/1页1.一种用于外延生长装置的多功能晶片衬底基座，包括基座主体，所述基座主体为用于放置圆形晶片衬底的圆盘；其特征在于，所述基座主体上表面分为一个内区以及至少三个外区，所述内区呈圆形位于基座主体中心，所述外区呈圆形，相邻的两个外区彼此相切且均与基座主体外缘相切；内区与外区重叠区域以外的内区圆周与每个外区圆周上，分别对称设有若干内部限位块与外部限位块；所述基座主体下表面设有若干关于基座主体中心对称、沿等分圆周阵列布置的凹槽以及支撑件，所述支撑件包含有与凹槽数量相等的支撑脚，所述支撑脚伸入所述凹槽内，以实现支撑件在基座主体上的固定。2.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述基座主体直径大于435mm；所述内区直径为300mm，所述外区直径为200mm。3.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述内部限位块至少为3个。4.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述每个外区上的外部限位块至少为2个。5.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述外部限位块和内部限位块高度不超过晶片衬底的厚度。6.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述内部限位块与外部限位块为圆柱形、三角形或矩形。7.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述凹槽数量大于等于3个；所述凹槽深度小于基座主体厚度。8.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述支撑件为石英支撑件。2CN109244030A说明书1/3页一种用于外延生长装置的多功能晶片衬底基座技术领域[0001]本发明涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种用于外延生长装置的多功能晶片衬底基座。背景技术[0002]目前，作为用于在衬底上生长外延膜的外延生长装置，一般来说会有一个工艺腔室和设置在工艺腔室中的可旋转的用来支撑衬底的基座，在这种装置中，反应气体在平行于衬底的方向上被引入至衬底，以便将外延层生长在基座上的衬底上。单片式硅外延生长装置由于其大直径外延加工能力和高质量的外延生长效果已经成为国际上硅外延片生产的发展主流。目前国内的外延设备能兼容直径150mm和200mm的外延生长，但需要更换不同的基座，而外延设备更换基座非常麻烦，耗时耗力且容易对石墨基座造成损伤。[0003]随着半导体技术的进步，产业应用对外延片的要求越来越高，增大外延晶片尺寸成为必然发展趋势，中国外延片市场将会由200mm过渡到300mm。考虑到以后200mm外延片逐步淘汰，所需的200mm基座也可能逐步淘汰，又由于基座的价格比较昂贵，为了减少200mm基座的采购量，需要用300mm的基座来代替使用。[0004]而目前国内市场短期内对200mm外延片还有较大需求，在生长300mm外延片的腔体中，虽然使用300mm基座也能实现对200mm外延片的加工，但由于该生长装置每次只能对单片进行加工，势必会造成产能浪费。发明内容[0005]本发明要解决的技术问题是，克服现有技术中的不足，提供一种用于外延生长装置的多功能晶片衬底基座。[0006]为解决技术问题，本发明的解决方案是：[0007]提供一种用于外延生长装置的多功能晶片衬底基座，包括基座主体，基座主体为用于放置圆形晶片衬底的圆盘；基座主体上表面分为一个内区以及至少三个外区，内区呈圆形位于基座主体中心，外区呈圆形，相邻的两个外区彼此相切且均与基座主体外