用于估算多层晶片的非均匀变形的系统和方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102741650A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102741650A(43)申请公布日2012.10.17(21)申请号201180007676.8(51)Int.Cl.(22)申请日2011.01.24G01B17/06(2006.01)G01B21/32(2006.01)(30)优先权数据G03F7/20(2006.01)10504682010.01.25FRG01N29/06(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日2012.07.23(86)PCT申请的申请数据PCT/FR2011/0501272011.01.24(87)PCT申请的公布数据WO2011/089368FR2011.07.28(71)申请人SOITEC公司地址法国贝尔尼(72)发明人M·布罗卡特A·卡斯特克斯L·马里尼耶(74)专利代理机构北京戈程知识产权代理有限公司11314代理人程伟周蕾权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书1212页页附图附图66页(54)发明名称用于估算多层晶片的非均匀变形的系统和方法(57)摘要本发明涉及用于估算第一晶片（110）中的非均匀变形的方法，第一晶片通过分子附着力键合至第二晶片（120）。本发明方法包括对多个测量点进行记录的步骤，每一个测量点在局部上表示第一晶片的表面的水平；对第一晶片中经过多个测量点的表面轮廓进行限定的步骤；对第一晶片的表面轮廓进行处理以由此确定特征值的步骤；以及根据特征值对第一晶片中非均匀变形水平进行估算的步骤。本发明还包括能够估算该非均匀变形的装置（147）。CN1027465ACN102741650A权利要求书1/2页1.一种估算第一晶片（110）中的非均匀变形的方法，所述第一晶片通过分子附着力键合至第二晶片（120），所述估算方法包括：测定多个测量点的步骤（E1），每一个所述测量点在局部上表示所述第一晶片的暴露表面的水平；对所述第一晶片中经过多个测量点的至少一个表面轮廓进行确定的步骤（E2）；对所述第一晶片的表面轮廓进行处理以便由此确定被处理表面轮廓的特征值的步骤（E3）；以及根据所述特征值对所述第一晶片中的非均匀变形的水平进行估算的步骤（E4）。2.根据权利要求1所述的估算方法，其中所述表面轮廓通过沿所述第一晶片的直径布置的测量点进行确定。3.根据权利要求2所述的测量方法，其中所述特征值为表面轮廓的二阶导数。4.根据权利要求3所述的测量方法，其中所述估算步骤包括以下测试中的至少一个：-第一测试，其确定所述二阶导数是否具有至少一个符号变化；以及-第二测试，其确定所述二阶导数是否具有大于预定值的至少一个绝对值。5.根据权利要求1所述的估算方法，其中所述表面轮廓通过沿中心与所述第一晶片的中心重合的圆周（R1-R3）所布置的测量点来确定。6.根据权利要求5所述的估算方法，其中所述特征值为表面轮廓的展形。7.根据权利要求1至6中任一项所述的估算方法，其中执行以下步骤：-对所述第一晶片的多个表面轮廓（C1-C3）进行确定，-对所述多个表面轮廓中的每一个轮廓执行处理步骤，以由此确定被处理轮廓的特征值，其中在所述估算步骤期间，根据所确定的所述特征值的函数来确定所述非均匀变形的水平。8.根据权利要求1至7中任一项所述的估算方法，其中根据测量步骤来测量每个记录的测量点，所述测量步骤根据所述第一晶片的至少一个图案的尺寸来确定。9.根据权利要求8所述的估算方法，其中所述测量步骤与所述第一晶片的图案的一半尺寸大致对应。10.根据权利要求1至8中任一项所述的估算方法，其中所述多个测量点记录通过声学显微术来实现。11.一种对包括通过分子附着力键合至第二晶片（120）的第一晶片（110）的至少一个结构进行选择的方法，所述选择方法包括：-通过如权利要求1至10中任一项所限定的估算方法，对每一个结构的第一晶片中的非均匀变形进行估算的步骤；以及-基于为每一个被估算结构所确定的特征值来选择一个或多个结构的步骤（E5）。12.一种用于估算第一晶片中的非均匀变形的装置，所述第一晶片通过分子附着力键合至第二晶片，所述估算装置包括：测量装置，其用于测定多个测量点，每一个所述测量点在局部上表示所述第一晶片的暴露表面的水平；计算装置，其对第一晶片中经过多个测量点的至少一个表面轮廓进行确定，并且确定所述表面轮廓的特征值；以及2CN102741650A权利要求书2/2页估算装置，其根据所述特征值对所述第一晶片中的非均匀变形水平进行估算。13.根据权利要求12所述的估算装置，其中所述特征值为所述表面轮廓的二阶导数。14.根据权利要求13所述的估算装置，其中所述估算装置构造成执行以下测试中的至少一个：-第一测试，其确定所述二阶导数是否具有至少一个符号变化；以及-第二测试，其确定所述二