具有漏斗状气体分散通道及气体分配板的原子层沉积腔室.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107532297A(43)申请公布日2018.01.02(21)申请号201680022766.7马里奥·丹·桑切斯简国强杨义(22)申请日2016.04.19雄迪帕克·贾达夫阿什托西·阿咖瓦(30)优先权数据62/151,1802015.04.22US(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理14/734,8382015.06.09US有限公司11006代理人徐金国赵静(85)PCT国际申请进入国家阶段日2017.10.19(51)Int.Cl.C23C16/44(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据C23C16/452(2006.01)PCT/US2016/0282532016.04.19C23C16/455(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据WO2016/172085EN2016.10.27(71)申请人应用材料公司地址美国加利福尼亚州(72)发明人穆罕默德·M·拉希德斯里尼瓦斯·甘迪科塔权利要求书2页说明书7页附图5页(54)发明名称具有漏斗状气体分散通道及气体分配板的原子层沉积腔室(57)摘要本文提供用于处理基板的方法与设备。一些实施方式中，基板处理腔室包含：腔室主体；腔室盖组件，所述腔室盖组件具有外壳(housing)，所述外壳包围中央通道，所述中央通道沿着中央轴延伸并具有上部与下部；盖板，所述盖板耦接于所述外壳并具有含轮廓(contoured)的底表面，所述含轮廓的底表面从中央开口向下且向外延伸至所述盖板的周边部，所述中央开口耦接于所述中央通道的下部；以及气体分配板，所述气体分配板配置于所述盖板之下并具有多个缝隙(aperture)，这些缝隙穿过所述气体分配板而配置。CN107532297ACN107532297A权利要求书1/2页1.一种基板处理腔室，包括：腔室主体；腔室盖组件，所述腔室盖组件具有外壳，所述外壳包围中央通道，所述中央通道沿着中央轴延伸并且具有上部与下部；盖板，所述盖板耦接于所述外壳并且具有含轮廓的底表面，所述含轮廓的底表面从中央开口向下且向外延伸至所述盖板的周边部，所述中央开口耦接于所述中央通道的所述下部；及气体分配板，所述气体分配板配置于所述盖板之下，并且具有多个缝隙，所述多个隙缝穿过所述气体分配板而配置。2.根据权利要求1所述的基板处理腔室，进一步包括：远程等离子体源，所述远程等离子体源流体耦接于所述中央通道；及隔离套环，所述隔离套环耦接于所述远程等离子体源与所述外壳之间，其中所述隔离套环具有内通道，所述内通道延伸穿过所述隔离套环，以流体耦接所述远程等离子体源与所述中央通道。3.根据权利要求2所述的基板处理腔室，进一步包括：排气导管，所述排气导管在第一端耦接于所述隔离套环，并且在第二端耦接于主要泵送通道；及阀，所述阀耦接于所述排气导管，以选择性地开启或关闭所述排气导管。4.根据权利要求1所述的基板处理腔室，其中所述外壳包含内区域；并且所述基板处理腔室进一步包括：插入件，所述插入件配置在所述内区域中，并且具有至少部分界定所述中央通道的中央通路。5.根据权利要求4所述的基板处理腔室，进一步包括：差动泵送线路，所述差动泵送线路在第一端耦接于所述插入件，并且在第二端耦接于所述盖板，其中所述盖板包含一个或多个通道，所述一个或多个通道配置于二个或更多个O形环之间的所述盖板的区域中，以排出困在这些O形环之间的气体。6.根据权利要求1至5任一项所述的基板处理腔室，进一步包括：加热板，所述加热板耦接于所述盖板的上表面，以加热所述盖板至预定温度。7.根据权利要求1至5任一项所述的基板处理腔室，其中所述多个缝隙的密度跨越所述气体分配板变化。8.根据权利要求1至5任一项所述的基板处理腔室，其中所述多个缝隙具有等效的流体传导率。9.根据权利要求1至5任一项所述的基板处理腔室，其中所述气体分配板由非腐蚀性陶瓷材料形成。10.根据权利要求1至5任一项所述的基板处理腔室，其中所述腔室盖组件的下表面向下倾斜。11.根据权利要求1至5任一项所述的基板处理腔室，其中所述气体分配板的所述多个缝隙提供从所述中央通道到所述基板处理腔室的空间的唯一气体路径，所述基板处理腔室2CN107532297A权利要求书2/2页的空间设置在所述气体分配板的与所述中央通道相对的一侧。12.根据权利要求1至5任一项所述的基板处理腔室，进一步包括:加热板，所述加热板耦接于所述盖板的上表面，以加热所述盖板至预定温度，其中所述气体分配板由非腐蚀性陶瓷材料形成，并且其中所述腔室盖组件的下表面向下倾斜。13.一种处理基板的方法，包括：使第一处理气体流入腔室盖组件的气体分散通道与处理腔室的反应区；使所述第一处理气体流动穿过配置于所述反应区中的气体分配板中的多