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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114438476A(43)申请公布日2022.05.06(21)申请号202111590788.2(22)申请日2021.12.23(71)申请人周向前地址201807上海市嘉定区城北路1355号上海大学国家科技园嘉定基地A栋1029室(72)发明人周向前(74)专利代理机构上海上谷知识产权代理有限公司31342专利代理师胡五荣(51)Int.Cl.C23C16/448(2006.01)C23C16/455(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称原子层沉积反应气体的制备机构及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种原子层沉积反应气体的制备机构及其制备方法,制备机构包括:反应源、载气源和反应气体罐,所述反应源内可操作地储有原子层沉积反应液;所述载气源通过载气管道与所述反应源连通,所述载气管道可操作地插入所述反应液内;所述反应气体罐与所述反应源连通,所述反应气体罐能够密封。本发明提供了一种原子层沉积反应气体的制备机构,该机构包括:反应源和反应气体罐,反应源内的反应气体被载气携带进入反应气体罐内,反应气体和载气在反应气体罐内被密封。当小型实验室需要对原子层沉积反应进行实验时,可以仅仅购买一罐反应气体罐,将反应气体罐接入原子层沉积反应室上,就能够进行原子层沉积实验。CN114438476ACN114438476A权利要求书1/1页1.一种原子层沉积反应气体的制备机构,其特征在于,包括:反应源,所述反应源内可操作地储有原子层沉积反应液;载气源,所述载气源通过载气管道与所述反应源连通,所述载气管道可操作地插入所述反应液内;反应气体罐,所述反应气体罐与所述反应源连通,所述反应气体罐能够密封。2.根据权利要求1所述的原子层沉积反应气体的制备机构,其特征在于,所述原子层沉积反应气体的制备机构还包括第一加热装置,所述第一加热装置可操作地加热所述反应源内的反应液。3.根据权利要求2所述的原子层沉积反应气体的制备机构,其特征在于,所述第一加热装置为加热釜,所述反应源位于所述加热釜中。4.根据权利要求1所述的原子层沉积反应气体的制备机构,其特征在于,所述载气管道上设置第一开关阀;所述制备机构还包括真空泵,所述真空泵与所述载气管道连通。5.根据权利要求4所述的原子层沉积反应气体的制备机构,其特征在于,所述真空泵与所述反应气体罐可操作地连通。6.根据权利要求5所述的原子层沉积反应气体的制备机构,其特征在于,所述制备机构还包括与所述反应气体罐可操作地连通的吹扫气体源,所述吹扫气体源可操作地往所述反应气体罐内输入吹扫气体。7.根据权利要求5或6所述的原子层沉积反应气体的制备机构,其特征在于,所述制备机构还包括第二加热装置,所述第二加热装置设置于所述反应气体罐外,可操作地加热所述反应气体罐。8.一种原子层沉积反应气体的制备方法,其特征在于,包括:将载气通入反应液内;将从反应液内溢出的载气及其携带的反应气体输入反应气体罐内;密封反应气体罐。9.根据权利要求8所述的原子层沉积反应气体的制备方法,其特征在于,在所述载气通入反应液的步骤中加热所述反应液。10.根据权利要求8所述的原子层沉积反应气体的制备方法,其特征在于,所述载气源通过载气管道与所述反应源连通,所述载气管道上设置第一开关阀和第二开关阀,所述第一开关阀靠近所述反应源设置,所述第二开关阀靠近所述载气源设置,所述制备方法还包括:在所述载气通入所述反应液内步骤之前;采用真空泵抽取所述第一开关阀和所述第二开关阀之间的所述载气管道内的气体。2CN114438476A说明书1/6页原子层沉积反应气体的制备机构及其制备方法技术领域[0001]本发明实施例涉及原子层沉积领域,特别涉及一种原子层沉积反应气体的制备机构及其制备方法。背景技术[0002]自1970年代被发明以来,原子层沉积(AtomicLayerDeposition,ALD)已被广泛地应用于现代信息、能源及生物医药产业。ALD独特的自限制生长机理(Self‑limitedGrowthMechanism)使其具有十分优异的低温生长性能,在100℃以内甚至室温条件下,可以保证优异的膜生长均匀性、保形性以及精确到纳米量级的膜厚度控制性。ALD所展现出来的独特优势,也使其在近年来快速发展的有机电子、印刷电子以及柔性电子领域展现出极具优势的广阔的应用前景。[0003]现有的原子层沉积主要是将反应液体气化后通过载气的携带进入原子层沉积的反应室内,反应气体与反应室内的基板进行反应。[0004]发明人发现现有技术至少存在如下问题,在原子层沉积反应过程中一般需要设置反应液体室和载气源,并且反应液体室和载气源通过许多复杂的管道与原子层沉积反应室进行连接,这就导致原子层沉积反应机构非常庞大和复杂