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N面GaN外延薄膜生长研究的中期报告
N面GaN外延薄膜生长研究的中期报告：
自从GaN材料被发现以来，其因其优异的物理性能，已被广泛研究。GaN材料广泛应用于LED、光电器件和微波器件等领域。
然而，GaN材料的生长技术、质量和成本等问题仍然是制约其进一步应用的瓶颈。因此，本研究旨在开发出一种简单、高效、低成本的N面GaN外延薄膜生长技术。
在研究过程中，采用了金属有机化学气相沉积（MOCVD）法生长N面GaN外延薄膜。经过多次实验，发现实现了高质量、高晶格匹配度、低偏晶等优点的N面GaN外延薄膜生长。同时，研究了外延薄膜生长过程中的反应机理和优化参数。
在生长过程中发现，反应气体流量、反应温度和反应时间等参数都对外延薄膜的质量和晶格匹配度等方面有着影响，需要进行逐步优化。在优化过程中，发现了一些优化方案，包括调整反应气体的比例、调整温度和反应时间等。
此外，还对N面GaN外延薄膜的物理性质进行了测试，比如表面形貌、载流子浓度、光学吸收谱和荧光光谱等。实验结果表明，所得到的N面GaN外延薄膜具有良好的表面形貌、高载流子浓度、良好的光电性能。
总的来说，本研究展示了一种简单、高效、低成本的N面GaN外延薄膜生长技术，为下一步的相关应用奠定了良好的基础。