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GaN的MOCVD侧向外延生长研究的中期报告
本次研究旨在探究使用MOCVD方法实现GaAs基底上的GaN侧向外延生长。在前期的实验中，我们使用了不同的外延衬底和生长条件进行了探究。在本中期报告中，我们将展示我们所得到的部分实验结果及其分析。
首先，我们使用了SiC、AlN外延衬底进行生长，发现使用SiC作为外延衬底，能够得到比较规整的GaN外延薄膜。但在使用AlN外延衬底时，GaN外延薄膜却呈现出不同程度的滑移。
接下来我们对生长温度、半化学量子井参数等生长条件进行了一定的优化。在选定的最优生长条件下，我们得到了在AlN外延衬底上较为规整的GaN侧向外延薄膜。同时，我们也在SiC外延衬底上实现了GaN侧向外延生长，并获得了一些初步的实验结果。
进一步的研究还需考虑到外延薄膜表面的光滑度和结晶质量等方面。我们将继续通过更加系统的实验方案和参数优化来提高侧向外延生长的质量和效率，以期获得更好的研究结果。
总之，本次实验对使用MOCVD方法实现GaN侧向外延生长进行了初步的探究，并在实验中获得了一些有意义的结果，为后续深入研究提供了一定的参考。