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AlN外延薄膜的MOCVD生长和高阻GaN中的深能级研究的中期报告
本次中期报告内容分为两部分：一是AlN外延薄膜的MOCVD生长，二是高阻GaN中的深能级研究。
一、AlN外延薄膜的MOCVD生长
通过本次实验，我们对AlN外延薄膜的生长进行了深入的研究。首先，我们对MOCVD方法的参数进行了优化，包括反应温度、反应气体的流量和反应时间等。通过调整这些参数，在晶体的生长过程中可以控制AlN薄膜的晶体结构和表面形貌。
接着，我们对生长出的AlN薄膜进行了表征，包括X射线衍射、光学显微镜等。通过XRD，我们发现所生长的AlN薄膜拥有高度晶化和结晶质量，且晶面方向为c轴晶面。光学显微镜的结果显示，薄膜表面非常平整、均匀。
最后，我们还对生长出的AlN薄膜进行了电学测量，得到了其电学特性。实验结果表明，所生长的AlN薄膜具有较高的电阻率和较小的载流子浓度，表明其可以用于高频电子器件中。
二、高阻GaN中的深能级研究
另一方面，我们还对高阻GaN中的深能级进行了研究。我们选取了不同电气性质的样品进行了电学测量，并通过测量结果对深能级进行了分析。
实验结果显示，处于高电阻状态的GaN样品中，存在深能级的存在，其能量级别约为Ec-0.8eV。这一结果表明，所测量的样品中存在着GaN材料中常见的浅能级和深能级，而这些能级会对材料的电学性质产生重要影响。
总之，本次中期报告主要介绍了我们在AlN外延薄膜的MOCVD生长和高阻GaN中的深能级研究方面所做的工作。我们成功地优化了MOCVD生长参数，生长出了具有高度晶化和结晶质量的AlN薄膜，同时我们还对高阻GaN中的深能级进行了深入研究，为后续的研究奠定了基础。