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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107665824A(43)申请公布日2018.02.06(21)申请号201610607628.7(22)申请日2016.07.28(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司(72)发明人张海洋王彦(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所11336代理人高伟冯永贞(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)H01L21/306(2006.01)H01L29/78(2006.01)权利要求书1页说明书9页附图5页(54)发明名称一种FinFET器件及制备方法、电子装置(57)摘要本发明涉及一种FinFET器件及制备方法、电子装置。所述方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上依次形成有鳍片材料层和种子层;在所述种子层上形成具有开口图案的掩膜层,所述开口图案露出所述种子层;在露出的所述种子层上形成蚀刻催化剂层;以所述掩膜层为掩膜、以所述蚀刻催化剂层为辅助执行化学蚀刻,以在所述种子层和所述鳍片材料层中形成开口和通过所述开口间隔的鳍片。所述方法使制备得到的FinFET器件中具有良好的轮廓,从而提高了所述半导体器件的性能和良率。CN107665824ACN107665824A权利要求书1/1页1.一种FinFET器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上依次形成有鳍片材料层和种子层;在所述种子层上形成具有开口图案的掩膜层,所述开口图案露出所述种子层;在露出的所述种子层上形成蚀刻催化剂层;以所述掩膜层为掩膜、以所述蚀刻催化剂层为辅助执行化学蚀刻,以在所述种子层和所述鳍片材料层中形成开口和通过所述开口间隔的鳍片。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述开口和所述鳍片的步骤包括:以所述掩膜层为掩膜、以所述蚀刻催化剂层为辅助蚀刻所述种子层,以在所述种子层中形成所述开口;以所述掩膜层和所述种子层为掩膜、以所述蚀刻催化剂层为辅助蚀刻所述鳍片材料层,以形成所述鳍片。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,蚀刻所述种子层的步骤中所述蚀刻液包括H2O2和H2SO4。4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,蚀刻所述鳍片材料层的步骤中所述蚀刻液包括HF和KMnO4。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述鳍片材料层包括三五族鳍片材料层。6.根据权利要求1或5所述的方法,其特征在于,所述鳍片材料层包括InGaAs层。7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述种子层选用InP层。8.根据权利要求1或7所述的方法,其特征在于,所述种子层的形成方法包括金属有机化合物化学气相沉积。9.据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过电子束蒸发的方法形成所述蚀刻催化剂层。10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括去除所述掩膜层和所述蚀刻催化剂层的步骤。11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括通过HCl和H3PO4去除所述种子层的步骤,以露出所述鳍片。12.一种FinFET器件,其特征在于,所述FinFET器件通过权利要求1至11之一所述方法制备得到。13.一种电子装置,其特征在于,所述电子装置包括权利要求12所述的FinFET器件。2CN107665824A说明书1/9页一种FinFET器件及制备方法、电子装置技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种FinFET器件及制备方法、电子装置。背景技术[0002]随着半导体技术的不断发展,集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前,由于高器件密度、高性能和低成本的需求,半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点,半导体器件的制备受到各种物理极限的限制。[0003]随着CMOS器件尺寸的不断缩小,来自制造和设计方面的挑战促使了三维设计如鳍片场效应晶体管(FinFET)的发展。相对于现有的平面晶体管,FinFET是用于20nm及以下工艺节点的先进半导体器件,其可以有效控制器件按比例缩小所导致的难以克服的短沟道效应,还可以有效提高在衬底上形成的晶体管阵列的密度,同时,FinFET中的栅极环绕鳍片(鳍形沟道)设置,因此能从三个面来控制静电,在静电控制方面的性能也更突出。[0004]目前工艺中通常在应力弛豫衬底SixGey(strainrelaxedbufferSixGey)上生长拉应力的Ge,形成鳍片,最后外延生长外延源/漏应力源,以形成额外的应力增加。[0005]外延限定的FinFET(Epi-definedFinFET)对于阈值电压的变化体现出更好的性能。因此如何更加有效的制备所述外延限定的FinFET器件