一种FinFET器件及其形成方法和电子装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114695117A(43)申请公布日2022.07.01(21)申请号202011598393.2(22)申请日2020.12.29(71)申请人广州集成电路技术研究院有限公司地址511300广东省广州市增城区宁西街创新大道16号(72)发明人张峰溢苏廷锜黄崇哲苏韦菘(74)专利代理机构深圳市顺天达专利商标代理有限公司44217专利代理师郭伟刚(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)H01L29/78(2006.01)H01L29/423(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图11页(54)发明名称一种FinFET器件及其形成方法和电子装置(57)摘要本发明提供一种FinFET器件及其形成方法。该形成方法在进行蚀刻之前，利用保护膜覆盖鳍状物，然后对鳍状物进行光刻以在第一组鳍状物上形成第一蚀刻图案，第一组鳍状物包含待去除的第一鳍结构；之后利用第一蚀刻图案蚀刻第一组鳍状物和对应的保护膜，去除第一鳍结构并形成第一组预设鳍状物；之后通过各向同性蚀刻去除残留的第一鳍结构，在对应第一组鳍状物的基板上形成凹结构。因而避免了现有技术中蚀刻后留下的圆角问题；同时形成的凹结构有利于维持水平线，不会造成器件的弯曲。CN114695117ACN114695117A权利要求书1/1页1.一种FinFET器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体基板上形成多个鳍状物；用保护膜覆盖所述多个鳍状物的表面；对所述多个鳍状物进行光刻处理，以在第一组鳍状物上形成第一蚀刻图案，所述第一组鳍状物包含待去除的第一鳍结构；通过所述第一蚀刻图案蚀刻第一组鳍状物和相应的保护膜,去除第一鳍结构并形成第一组预设鳍状物；各向同性蚀刻继续去除残留的第一鳍结构，并在对应第一组鳍状物的基板上形成凹结构。2.根据权利要求1所述的FinFET器件的形成方法，其特征在于，还包括：在各向同性蚀刻过程后，移除所述第一组鳍状物上剩余的保护膜。3.根据权利要求2所述的FinFET器件的形成方法，其特征在于，还包括：对所述多个鳍状物进行光刻处理，以在第二组鳍状物上形成第二蚀刻图案，所述第二组鳍状物包含待去除的第二鳍结构；通过所述第二蚀刻图案蚀刻第二组鳍状物，去除第二鳍结构并形成第二组预设鳍状物，同时在对应第二组鳍状物的基板上形成凸结构。4.根据权利要求3所述的FinFET器件的形成方法，其特征在于，蚀刻第一组鳍状物的蚀刻方向与蚀刻第二组鳍状物的蚀刻方向彼此垂直。5.一种FinFET器件，其特征在于，包括：半导体基板；以及在所述半导体基板上形成的多个鳍状物；一个或多个凸结构和一个或多个凹结构，所述凸结构和所述凸结构分别对应于从所述半导体基板上移除的一组鳍状物。6.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求5中任一项所述的FinFET器件。2CN114695117A说明书1/5页一种FinFET器件及其形成方法和电子装置技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种FinFET器件及其形成方法和电子装置。背景技术[0002]在半导体集成电路器件领域中，场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管一直是用来制造专用集成电路芯片、静态随机存储器(SRAM)芯片等产品的主要半导体器件。[0003]半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速的成长。在IC演变的进程中，功能密度(即，每个芯片面积上互相连接的器件的数量)已经普遍增加，同时几何尺寸(即，可以使用制造处理做出的最小的组件或线)已经减小。此按比例缩小处理一般通过增加生产效率和降低相关联的成本来提供效益。这样的按比例缩小还已经增加了处理和制造IC的复杂性，而为了实现这样的先进性，需要半导体制造中的类似发展。[0004]例如，随着半导体工业已经进展到追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本的纳米技术处理节点，来自制造和设计二者的挑战已经导致了鳍型场效应晶体管(FinFET)器件的发展。在传统方法制作FinFET器件时，采用鳍结构后去除(FinCut‑last)方案的过程为，先形成阵列状的鳍结构，再通过水平方向切割和垂直方向切割去除多余部分鳍结构以形成预设的鳍结构。但是，在通过光刻形成预设掩膜版图案时，由于光学近邻效应，容易发生理想像频谱一定程度上的畸变，导致预设直角区域变为圆角化区域。特别地，在切割鳍结构时，切割完成后水平方向切割和垂直方向切割的交汇点容易产生圆角，造成鳍结构不完全去除，进而影响最终形成的FinFET器件的性能。发明内容[0005]本发明的目的在于，提供一种FinFET器件及其形成方法和电子装置。[0006]本发明所采用的技术方案是：构造一种FinFET器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：[00