77K下MOS器件的SPICE模型研究的中期报告.docx
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77K下MOS器件的SPICE模型研究的中期报告SPICE(SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis)是一种电路仿真器,它能够模拟和分析电子电路。在电路设计中,SPICE模型通常用于评估电路的性能和预测其行为。本文对77K下MOS器件的SPICE模型的研究进行了中期报告。为了得到准确的SPICE模型,需要对77K下MOS器件进行物理建模并进行参数提取。在本研究中,我们采用的方法是基于双极PNP模型的方法。通过这种方法,我们能够对器件进行建模,并可以从该模
基于Spice的应变Si-SiGe+MOS器件模型研究.pdf
西安电子科技大学硕士学位论文基于Spice的应变Si/SiGeMOS器件模型研究姓名:曹凯申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:戴显英20090101摘要关键词:应变Si/SiGeSpice模型阈值电压模型迁移率模型目前的Spice软件可以模拟Si器件及其电路,然而在功能强大的Spice软件中尚没有应变Si/SiGeMOS器件的模型,因此,不能进行应变Si/SiGeMOS器件及其电路模拟,因而迫切需要建立基于Spice的应变Si/SiGeMOS器件模型。本论文理论性强,工作量大,主要研究工
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0.6μm SOI SPICE器件模型参数提取的中期报告.docx
0.6μmSOISPICE器件模型参数提取的中期报告本文介绍了0.6μmSOISPICE器件模型参数提取的中期报告。该报告基于实验数据和模型仿真结果,探讨了提取过程中遇到的主要问题和解决方法,并详细介绍了已经提取出来的模型参数。首先,报告介绍了器件结构和测试方法。该器件为SOI工艺制作的pMOSFET,测试方法采用了标准的DC和AC测试,包括了开关特性、静态特性和热噪声等。然后,报告分析了实验数据和模型仿真结果之间的差异,并提出了问题:模型中的偏置电流和源漏电流比实验值要小。为了解决这个问题,报告使用了修
SiGe-MOS器件模型研究的开题报告.docx
基于Spice的应变Si/SiGeMOS器件模型研究的开题报告一、研究背景及意义:Si/SiGeMOS器件具有在高频率和低功耗应用领域中具有广泛的应用前景。传统基于现有模型的解决方案不能正确得到Si/SiGeMOS器件的特性表现。因此,建立准确、高效、可靠的基于Spice的Si/SiGeMOS器件模型是十分必要的。二、研究内容:在传统基于现有模型的解决方案无法准确得到Si/SiGeMOS器件的特性表现的情况下,本研究将采用基于Spice的方法研究Si/SiGeMOS器件模型,并通过对该模型进行分布式参数提