0.6μm SOI SPICE器件模型参数提取的中期报告.docx

0.6μmSOISPICE器件模型参数提取的中期报告
本文介绍了0.6μmSOISPICE器件模型参数提取的中期报告。该报告基于实验数据和模型仿真结果，探讨了提取过程中遇到的主要问题和解决方法，并详细介绍了已经提取出来的模型参数。
首先，报告介绍了器件结构和测试方法。该器件为SOI工艺制作的pMOSFET，测试方法采用了标准的DC和AC测试，包括了开关特性、静态特性和热噪声等。然后，报告分析了实验数据和模型仿真结果之间的差异，并提出了问题：模型中的偏置电流和源漏电流比实验值要小。为了解决这个问题，报告使用了修正模型来匹配实验结果。在修正过程中，报告首先使用了手动调整方法，然后使用了遗传算法自动寻找最佳参数。
最后，报告详细介绍了已经提取出来的模型参数。其中，模型参数包括了晶体管的长度、宽度、阈值电压、电流放大系数和各种电容等。通过分析提取的参数，报告总结了器件的主要性能特点，包括了低噪声、高速、低功耗和电容比等。此外，报告还讨论了模型的精度和通用性，以及未来需要进行的进一步研究。