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基于Spice的应变Si/SiGeMOS器件模型研究的开题报告一、研究背景及意义:Si/SiGeMOS器件具有在高频率和低功耗应用领域中具有广泛的应用前景。传统基于现有模型的解决方案不能正确得到Si/SiGeMOS器件的特性表现。因此,建立准确、高效、可靠的基于Spice的Si/SiGeMOS器件模型是十分必要的。二、研究内容:在传统基于现有模型的解决方案无法准确得到Si/SiGeMOS器件的特性表现的情况下,本研究将采用基于Spice的方法研究Si/SiGeMOS器件模型,并通过对该模型进行分布式参数提取来得到更准确的器件特性表现。三、研究方法和计划:1.对Si/SiGeMOS器件的应变效应进行理论分析和电路模拟建模;2.设计模型提取电路;3.对提取电路进行优化设计、构建;4.进行模型参数提取工作;5.验证该模型的电气特性和可靠性。四、预期成果和意义:本研究预期能够建立一个高精度、高可靠性、适用于Si/SiGeMOS器件的基于Spice的模型,并能够得到更准确的器件特性表现。同时,该模型建立将对未来Si/SiGeMOS器件的设计、优化和制造具有积极的推动作用。