晶圆加工装置及其加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107984375A(43)申请公布日2018.05.04(21)申请号201711206394.6(22)申请日2017.11.27(71)申请人德淮半导体有限公司地址223302江苏省淮安市淮阴区长江东路599号(72)发明人王海宽林宗贤吴龙江郭松辉吕新强(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人徐文欣吴敏(51)Int.Cl.B24B37/02(2012.01)B24B37/013(2012.01)B24B37/34(2012.01)权利要求书3页说明书10页附图5页(54)发明名称晶圆加工装置及其加工方法(57)摘要一种晶圆加工装置及其加工方法，其中，装置包括：固定晶圆的第一吸盘；对所述第一吸盘表面的晶圆进行研磨的第一研磨砂轮，所述第一研磨砂轮包括对晶圆进行研磨的第一研磨面；控制第一研磨砂轮第一研磨面与水平面之间的夹角的运动控制装置；测量晶圆厚度的厚度测量装置。所述晶圆加工装置结构简单，且工作方法简便。CN107984375ACN107984375A权利要求书1/3页1.一种晶圆加工装置，其特征在于，包括：固定晶圆的第一吸盘；对所述第一吸盘表面的晶圆进行研磨的第一研磨砂轮，所述第一研磨砂轮包括对晶圆进行研磨的第一研磨面；控制第一研磨砂轮第一研磨面与水平面之间的夹角的运动控制装置；测量晶圆厚度的厚度测量装置。2.如权利要求1所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述第一研磨砂轮包括与所述研磨面相对的背面；所述运动控制装置包括：支撑结构，所述支撑结构与所述第一研磨砂轮通过铰轴连接，所述铰轴延伸方向与水平面平行；所述第一研磨砂轮用于绕所述铰轴延伸方向旋转。3.如权利要求1所述的晶圆加工装置，其特征在于，还包括：转盘，所述转盘包括支撑面，所述转盘用于绕过所述支撑面中心且垂直于所述支撑面的直线旋转，所述第一吸盘位于所述转盘支撑面；位于所述转盘支撑面的第二吸盘、第三吸盘和第四吸盘，所述第一吸盘、第二吸盘、第三吸盘和第四吸盘围绕所述支撑面的中心均匀分布。4.如权利要求3所述的晶圆加工装置，其特征在于，所述晶圆加工装置还包括：第二研磨砂轮、第一研磨头和第二研磨头；所述第一研磨砂轮、第二研磨砂轮、第一研磨头和第二研磨头围绕所述支撑面中心均匀分布。5.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括：提供如权利要求1至4任意一项所述的晶圆加工装置；提供第一晶圆，所述第一晶圆包括相对的第一处理面和第一背面；使所述第一晶圆的第一背面与所述第一吸盘贴合，所述第一吸盘与第一晶圆接触的面为第一吸附面；使所述第一晶圆的第一背面与所述第一吸盘贴合之后，对所述第一晶圆的第一处理面进行加工处理，减小所述第一晶圆的厚度，所述加工处理的步骤包括：通过所述第一研磨砂轮对第一处理面进行第一研磨处理，减小所述第一晶圆的厚度；所述第一研磨处理之后，通过所述厚度测量装置检测所述第一晶圆的厚度，获取测试厚度；根据所述测试厚度，通过所述运动控制装置调节所述第一研磨面与水平面之间的夹角，减小所述第一研磨面与所述第一吸附面之间的锐角夹角；调节所述第一研磨面与水平面之间的夹角之后，通过第一研磨砂轮对所述第一处理面进行第二研磨处理，减小所述第一晶圆的厚度。6.如权利要求5所述的晶圆加工方法，其特征在于，检测所述第一晶圆的厚度的步骤包括：分别检测所述第一晶圆中心和边缘的厚度。7.如权利要求6所述的晶圆加工方法，其特征在于，调节所述第一研磨面与水平面之间的夹角的步骤包括：当所述第一晶圆中心的厚度大于所述第一晶圆边缘厚度时，使所述第一晶圆中心到第一研磨面的距离小于第一晶圆边缘到第一研磨面的距离；当所述第一晶圆边缘的厚度大于所述第一晶圆中心的厚度时，使所述第一晶圆边缘到第一研磨面的距离小于第一晶圆中心到第一研磨面的距离。2CN107984375A权利要求书2/3页8.如权利要求5所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述晶圆加工装置还包括：第二研磨砂轮、第一研磨头和第二研磨头；将所述第一晶圆安装于所述第一吸盘的第一吸附面之后，所述第一研磨处理之前，还包括：通过所述第二研磨砂轮对所述第一晶圆进行粗加工，减小所述第一晶圆的厚度，所述粗加工的去除量大于所述加工处理的去除量；所述粗加工之后，旋转所述转盘，使所述第一处理面与所述第一研磨砂轮接触；所述第二研磨处理之后，还包括：旋转所述转盘，使所述第一处理面与所述第一研磨头接触；使所述第一处理面与所述第一研磨头接触之后，通过所述第一研磨头对所述第一晶圆进行第一修复处理，增加所述第一处理面的平整度；所述第一修复处理之后，旋转所述转盘，使所述第一处理面与所述第二研磨头接触；使所述第一处理面与所述第二研磨头接触之后，通过所述第二研磨头对所述第一处理面进行第二修复处理，去除所述第一处理面