一种硅片研磨装置及其研磨方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108262678A(43)申请公布日2018.07.10(21)申请号201611264423.X(22)申请日2016.12.30(71)申请人上海新昇半导体科技有限公司地址201306上海市浦东新区泥城镇云水路1000号(72)发明人周虹吴镐硕(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人余昌昊(51)Int.Cl.B24B27/06(2006.01)B24B37/08(2012.01)B24B37/34(2012.01)B24B55/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种硅片研磨装置及其研磨方法(57)摘要本发明提供了一种硅片研磨装置及其研磨方法，所述硅片研磨装置，包括：若干游星轮、一外齿轮、一太阳轮、两个研磨盘以及驱动装置；太阳轮设置于外齿轮内侧，每个游星轮均设置于太阳轮和外齿轮之间，且每个游星轮既与太阳轮啮合，又与外齿轮啮合；两个研磨盘分别设置于所述太阳轮两侧，并覆盖所有游星轮；两个研磨盘和太阳轮均与驱动装置连接，驱动装置用于驱动两个研磨盘以及太阳轮转动。在本发明提供的硅片研磨装置中，利用两个研磨盘同时对多个硅片进行研磨，提高了研磨的效率，而且设置多个厚度不同的游星轮，从而可根据硅片表面的弯曲程度以及硅片的厚度，对硅片进行至少一次研磨，利用该装置在提高了研磨的效率的同时也保证了研磨质量。CN108262678ACN108262678A权利要求书1/1页1.一种硅片研磨装置，其特征在于，包括：若干游星轮、一外齿轮、一太阳轮、两个研磨盘以及驱动装置；所述太阳轮设置于所述外齿轮内侧，每个游星轮均设置于所述太阳轮和所述外齿轮之间，且每个游星轮既与所述太阳轮啮合，又与所述外齿轮啮合；所述两个研磨盘分别设置于所述太阳轮两侧，并覆盖所有游星轮；所述两个研磨盘和所述太阳轮均与所述驱动装置连接，所述驱动装置用于驱动所述两个研磨盘以及所述太阳轮转动。2.如权利要求1所述的硅片研磨装置，其特征在于，所述若干游星轮中至少一个游星轮的厚度与其余游星轮的厚度不同。3.如权利要求1所述的硅片研磨装置，其特征在于，所述若干游星轮的厚度均不等，所述若干游星轮根据厚度递减的顺序依次设置于所述太阳轮和所述外齿轮之间。4.如权利要求2所述的硅片研磨装置，其特征在于，若干游星轮的厚度分布呈等差数列，所述厚度差的范围为4μm-6μm。5.如权利要求1所述的硅片研磨装置，其特征在于，每个游星轮均具有一硅片容纳腔，用于容纳硅片。6.如权利要求1所述的硅片研磨装置，其特征在于，还包括一气缸，所述气缸与任一研磨盘连接，用于为所述研磨盘施加压力。7.一种硅片研磨方法，其特征在于，采用如权利要求1～6中任一项所述硅片研磨装置对硅片进行至少一次研磨。8.如权利要求7所述的硅片研磨方法，其特征在于，所述硅片采用金刚石线将晶棒切割而成，在采用金刚石线将晶棒切成硅片的过程中采用冷却液对金刚石线进行冷却。9.如权利要求7所述的硅片研磨方法，其特征在于，对所述硅片进行至少一次研磨的方法包括：根据硅片的厚度，在每个游星轮中设置一个硅片，利用两个研磨盘对设置于游星轮中的硅片的两个面同时进行研磨，且两个研磨盘的旋转方向相反。10.如权利要求7所述的硅片研磨方法，其特征在于，在对所述硅片进行至少一次研磨的过程中还包括：在硅片上喷射研磨砂浆。11.如权利要求7所述的硅片研磨方法，其特征在于，当对所述硅片进行至少两次研磨时，在相邻的两次研磨之间包括：对所述硅片翻片。2CN108262678A说明书1/4页一种硅片研磨装置及其研磨方法技术领域[0001]本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种硅片研磨装置及其研磨方法。背景技术[0002]半导体硅片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料，一般通过切片、和磨片等工艺过程制造而成。[0003]半导体硅片切片工艺一般是采用0.16mm及0.14mm的直钢丝以及游离在直钢丝上的磨粒(SiC)进行切割，由于磨粒是游离加工，所以切割时间长，加工效率低。[0004]现有技术中对硅片研磨加工时，将一硅片对称分布的夹持器的保持环中，一对金刚石砂轮相对于硅片两侧面的两侧，金刚石砂轮在空气轴承电主轴驱动下沿相反方向旋转并沿轴向进给实现硅片双面同时磨削。但这种方法研磨效率低，且难以修整硅片的弓形度(bow)及翘曲度(warp)。发明内容[0005]本发明的目的在于提供一种硅片研磨装置及其研磨方法，以解决现有的技术中，硅片加工效率低的问题。[0006]为解决上述技术问题，本发明一方面提供一种硅片研磨装置，包括：若干游星轮、一外齿轮、一太阳轮、两个研磨盘以及驱动装置；[0007]所述太阳轮设置于所述外齿轮内侧，每个游星轮均设置于所述太阳