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PSTT铁电薄膜的制备和性能研究的任务书
任务名称：PSTT铁电薄膜的制备和性能研究
任务背景：铁电材料在现代电子技术中具有广泛的应用，特别是在可重新编程逻辑器件和非挥发性存储器中。PSTT（PbSc0.5Ta0.5O3）铁电材料因具有较高的自发极化强度和饱和极化，因此备受研究人员的关注。然而，PSTT铁电薄膜的制备过程仍存在一些挑战，例如薄膜厚度控制、晶体结构和纯度等方面的问题。本任务旨在探讨这些问题和解决方案，并研究PSTT铁电薄膜的一些关键性能指标。
任务内容：
1.系统地研究PSTT铁电薄膜的制备方法，包括溶胶-凝胶法、分子束外延、水热法等，并比较不同方法的优缺点。
2.选择一种合适的PSTT铁电薄膜制备方法，并对其进行优化。考虑制备过程中的关键参数，如前驱体的配方、制备温度和时间、气氛等，以获得具有良好晶体结构、较高纯度和良好的表面形貌的薄膜。
3.对制备的PSTT铁电薄膜进行一系列的性能测试，如自发极化强度、饱和极化、电容-电压（C-V）曲线、介电常数等。根据测试结果分析薄膜制备的不足之处，并尝试优化，以获得更好的性能。
4.研究PSTT铁电薄膜在可重新编程逻辑器件和非挥发性存储器中的应用潜力。这包括研究薄膜的响应时间、可编程次数、电子学稳定性等关键性能指标，并探索其在相关设备中的应用前景。
任务成果：
1.一篇研究报告，内容包括不同PSTT铁电薄膜制备方法的优缺点、优化制备条件的试验结果、薄膜的物理和电学性能以及在逻辑器件和存储器中的应用前景等内容。
2.一份完整的实验数据表，包括制备过程中的关键参数、测试过程中的测量数据和数据分析结果等。