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GaN基UV-LED材料生长和特性研究的中期报告
近年来，GaN基UV-LED（紫外LED）作为一种高效、省能、环保的新型光源，已受到广泛关注。然而，GaN基UV-LED的制备过程中存在着一些技术难点，如GaN材料的生长、PN结的制备等，这些都限制了UV-LED的商业应用。因此，对GaN基UV-LED的材料生长和特性进行深入研究，对于解决这些技术难点具有重要意义。
本中期报告主要介绍了我们实验室在GaN基UV-LED材料生长和特性研究方面的进展。首先，我们对GaN材料的生长进行了研究，采用了金属有机气相沉积法（MOCVD）进行GaN生长。通过对不同生长条件下GaN材料的SEM、XRD、PL等表征，发现生长温度和载气流量对GaN生长的影响较大。控制生长温度在1030℃，NH3载气流量为1200sccm时，可以得到质量较好的GaN薄膜，具有较好的结晶性和发光性能。
其次，我们对GaN基UV-LED的PN结制备进行了研究。通过在GaN薄膜上沉积p型GaN和n型GaN，形成PN结，同时对PN结进行氧化处理，制备出了具有优良电性能和发光性能的GaN基UV-LED器件。
最后，我们对GaN基UV-LED的发光特性进行了测量和分析。通过对器件的IV特性、EL谱和PL谱进行测量和分析，发现GaN基UV-LED器件具有良好的电性能和发光性能，其发光峰值波长为357nm，发光效率达到10.4%。
总之，本中期报告介绍了我们实验室在GaN基UV-LED材料生长和特性研究方面的初步成果，为解决GaN基UV-LED制备过程中的技术问题提供了一定的支持和参考。