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GaN基发光管材料的MOCVD生长研究的中期报告
本研究旨在探究GaN基发光管材料的MOCVD生长方法，以得到高质量、高效率的GaN基发光管材料。
目前，我们已经进行了一系列的实验和测试。首先，我们研究了不同的衬底材料对GaN生长的影响。结果表明，使用蓝宝石衬底具有更好的生长质量和晶体缺陷较少的GaN薄膜。
接着，我们探究了生长温度的影响。实验结果表明，较高的生长温度可以改善GaN薄膜的结晶度和光学性能。不过，过高的温度会产生更多的缺陷。
此外，我们研究了气相组分对GaN的生长和性能的影响。通过改变气相组分的流量比例，我们发现增加NH3流量可以提高GaN的生长速率和光电性能，但对GaN晶体质量的影响较小。
最后，我们还尝试了降低InGaN/GaN多量子阱薄膜的厚度，以提高其光电性能。实验结果表明，在一定范围内的厚度减小可以提高其发光效率和色坐标。
综上，我们的研究结果为GaN基发光管材料的MOCVD生长提供了重要的实验依据，对实现高质量、高效率的GaN基发光管材料具有重大意义。