GaN基HEMT材料生长与分析的中期报告.docx

GaN基HEMT材料生长与分析的中期报告
这里是中期报告的简要概述：
1.前期工作回顾：对GaN材料生长、HEMT器件结构和性能进行了文献调研和理论分析，同时进行了基础实验验证。
2.材料生长：采用低压气相沉积（LP-MOVPE）技术生长GaN材料，并对生长过程中的气相、反应室温度、气压等参数进行优化调整，以获得高质量的GaN材料。此外，还使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜等技术对生长的GaN材料进行了表征和分析。
3.HEMT器件制备：使用电子束光刻和湿法腐蚀技术制备了GaN基HEMT器件结构，并进行了电学特性测试，测量了器件的漏电流、阈值电压等参数，并对测试结果进行了分析。同时也进行了设备应力测试，探究了应力对HEMT器件性能的影响。
4.中期成果与展望：通过前期的理论和实验研究，成功生长了高质量的GaN材料，并利用所生长的材料制备了GaN基HEMT器件，初步验证了器件的工作性能，还进行了应力测试。未来还将继续进行对材料和器件的性能研究，深入探究GaN基HEMT的性能特点及其应用前景。