VTE方法制备化学计量比铌酸锂晶体及其性能的中期报告.docx
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VTE方法制备化学计量比铌酸锂晶体及其性能的中期报告.docx
VTE方法制备化学计量比铌酸锂晶体及其性能的中期报告1.背景和研究目的铌酸锂晶体是一种具有优异物理化学性质和重要应用价值的功能性无机材料,具有良好的光电响应、非线性光学、电化学、催化等性质,广泛应用于光学通讯、激光技术、光电子学、电化学等领域。目前,铌酸锂晶体的制备方法主要有液相法、溶胶-凝胶法、水热法、水热-微波法等,其中,VTE(VaporTransportEquilibration)法是一种高效且低成本的制备方法。本研究旨在利用VTE法制备化学计量比铌酸锂晶体,并对其物理化学性质进行表征,探究其在光
VTE方法制备化学计量比铌酸锂晶体及其性能的综述报告.docx
VTE方法制备化学计量比铌酸锂晶体及其性能的综述报告铌酸锂(LiNbO3)是一种重要的无机晶体材料,具有广泛的应用前景,如电子学、光学和声学等领域。然而,铌酸锂晶体材料的制备过程和性质研究一直是材料科学领域的研究重点。VTE(Vaportransportequilibration)方法制备铌酸锂晶体是一种较为常见的制备方法,也是一种重要的物质表征手段。本文将详细综述VTE方法制备化学计量比铌酸锂晶体及其性能。虽然VTE方法制备铌酸锂晶体的过程相对简单,但是对于化学计量比铌酸锂的制备仍面临以下难点:首先,如
一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法.pdf
一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法,包括:将碳酸锂质量含量为23%~45%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到富锂多晶粉末A,将A装入耐高温的坩埚下部;把待扩散的缺锂铌酸锂晶体放置在A上,晶体周围裸露的A用铂金片覆盖;再用碳酸锂质量含量为10%~18%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到贫锂多晶粉末B,将B装入坩埚上部;然后将坩埚在高温炉中加热进行扩散处理,扩散温度为1000~1150℃,扩散时间根据扩散温度和晶体的厚度确定,扩散温度越高、晶体厚度越小需要
铜掺杂近化学计量比铌酸锂晶体的生长及其性能的研究的开题报告.docx
铜掺杂近化学计量比铌酸锂晶体的生长及其性能的研究的开题报告一、选题背景与意义铌酸锂晶体具有优异的光电、热学和声学性能,在电光、太赫兹和微波技术等领域具有广泛应用。由于其晶体结构与成分的特殊性质,铌酸锂晶体生长困难且成本较高,因此研究如何提高其生长质量和增强其性能是非常重要的。近年来,掺杂是一种有效的手段,通常可以显著改变铌酸锂晶体的物理特性,例如改善其热稳定性、调节其折射率和呈色度等。铜掺杂在铌酸锂晶体中具有较高的热稳定性和光学性质,可以显著提高其储能性能和光学传输性能。本研究将探讨铜掺杂近化学计量比铌酸
锆铁铜铌酸锂晶体及其制备方法.pdf
锆铁铜铌酸锂晶体及其制备方法,涉及掺杂的铌酸锂晶体及其制备方法。本发明解决了现有的Cu、Fe双掺铌酸锂晶体的响应时间长的技术问题。本发明的锆铁铜铌酸锂晶体由Nb2O5、Li2CO3、ZrO2、Fe2O3和CuO制成;方法:将Fe2O3、CuO、ZrO2、Nb2O5和Li2CO3混合后,煅烧得到多晶,然后将多晶在单晶生长炉内采用提拉法经引晶、缩颈、放肩、收肩及等径生长,拉脱后退火生成晶体,然后经极化得到锆铁铜铌酸锂晶体。本发明的锆铁铜铌酸锂晶体的写入时间为5s~35s,固定衍射效率在5.9%~38%。可用于