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GaN材料的极化特性研究的中期报告
尊敬的评委、指导老师、专家和各位同学们：
大家好！今天我来给大家做一份关于GaN材料的极化特性研究的中期报告。
首先，让我们来回顾一下研究的背景。GaN材料是一种广泛应用于光电子学领域的材料，它具有一系列优良的性能，比如宽的能隙、高的电子迁移率、较高的抗辐照性、高饱和漂移速度等等。这些性能极大地推动了GaN在LED等半导体器件应用领域的发展。但是，在GaN材料内部，可能存在区域性的电荷不平衡现象，也就是所谓的极化电荷。它对于电子和空穴的运动轨迹造成了一定程度的影响，因此，了解和研究GaN材料的极化特性具有很重要的意义。
于是，在我的研究中，我选取了GaN材料中两种不同的极化方向作为研究对象——c轴向和a轴向的极化特性。
接下来，我来谈一谈我目前的研究进展。在研究初期，我主要利用第一性原理方法，即基于密度泛函理论的VASP代码，对GaN材料中c轴向和a轴向的极化情况进行了计算。结果表明，在c轴向的情况下，GaN材料呈现出了一定的极化值，而在a轴向的情况下，GaN材料的极化更加明显。在本阶段，我还对GaN材料进行了一系列的优化计算，如结构优化、电荷密度分析、载流子密度分析等，以进一步探究GaN材料的物理性质。
在这之后，我进一步建立了基于第一性原理的求解GaN材料中极化特性的模型，并进行了程序的编写和算例验证。目前，我的模型已经可以较好地描述GaN材料中的极化现象，并且取得了一些初步的结果。但是，在进一步的模型优化和算法调整中，仍然存在一些问题需要解决。
我还进行了一些外加电场下的模拟模拟计算，以研究GaN材料在不同电场下的电子轨迹和能带结构变化。结果显示，外加电场可以影响GaN材料中的电荷分布和能带结构，同时电场对GaN材料的极化特性也产生着重要影响。因此，关于外加电场对GaN材料极化特性的影响，也是我未来研究的重点之一。
总的来说，当前阶段我已完成了对GaN材料极化特性的初步研究和建模，取得了一系列有意义的结果和启示，但还有许多问题和挑战需要解决和克服。未来，我将进一步完善和发展我所建立的基于第一性原理的模型，研究GaN材料极化特性的物理本质、机理和应用前景，并结合实验验证，期望能够为推动GaN半导体器件的发展做出一些贡献。
以上就是我的中期报告，感谢评委、指导老师和各位同学的倾听。如果有任何意见或建议，欢迎提出，谢谢！