用于高温处理的腔室衬垫.pdf
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相关资料
用于高温处理的腔室衬垫.pdf
于此公开的实施例一般相关于用于在处理腔室中高温处理基板的腔室衬垫。处理腔室利用惰性底部净化流来屏蔽基板支撑件以免于卤素反应物的影响,使得基板支撑件可被加热至高于约摄氏650度的温度。腔室衬垫控制流轮廓,使得沉积期间,底部净化流限制反应物及副产物在基板支撑件下方沉积。在清洁处理期间,底部净化流限制卤素反应物接触基板支撑件。因而,腔室衬垫包含锥状内表面,该锥状内表面具有向内的角度以引导净化气体环绕基板支撑件的边缘并减少在基板支撑件下方及边缘上的沉积。
用于SiC高温氧化工艺的工艺腔室及热处理炉.pdf
本发明提供一种用于SiC高温氧化工艺的工艺腔室及热处理炉,该工艺腔室包括:筒状隔热装置,内部具有封闭的隔热空间;隔热板组件,包括多个沿竖直方向叠置在一起的隔热板;隔热板组件邻接设置在筒状隔热装置的上方;以及工艺舟,用于承载被加工工件;工艺舟邻接设置在隔热板组件的上方。本发明提供的用于SiC高温氧化工艺的工艺腔室,其不仅具有较高的使用温度、较小的炉腔体积,而且可以简化设备整体结构。
用于LED制造的改良多腔室分离处理.pdf
本文所述实施例大致关于藉由金属-有机化学气相沉积(MOCVD)处理与/或氢化物气相磊晶(HVPE)处理形成III-V族材料的方法。一实施例中,在第一腔室中于基板上执行III1族-N层的沉积,在第二腔室中于基板执行III2族-N层的沉积,并在与沉积III2族-N层的腔室不同的腔室中于基板上执行III3族-N层的沉积。在III2族-N层沉积与III3族-N层沉积之间,于基板上执行一或多个表面处理以降低界面处的非辐射复合并改善生成结构的整体电致发光。
用于处理腔室的陶瓷涂覆的石英盖体.pdf
本公开内容的实施方式包括用于降低处理腔室内的颗粒产生的方法和设备。在一个实施方式中,本发明提供一种用于基板处理腔室的盖体。盖体包括:盖构件,所述盖构件具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;通过所述盖构件的中央开口,其中所述中央开口的内轮廓包括具有第一直径的第一段、具有第二直径的第二段和具有第三直径的第三段,其中第二直径是在第一直径和第三直径之间,且第一直径从第二段朝向盖构件第一表面增加;和沟槽,所述沟槽沿着第一表面中的封闭路径形成且具有形成在沟槽的内表面中的凹槽。
用于处理腔室的陶瓷涂覆的石英盖体.pdf
本公开内容的实施方式包括用于降低处理腔室内的颗粒产生的方法和设备。在一个实施方式中,本发明提供一种用于基板处理腔室的盖体。盖体包括:盖构件,所述盖构件具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;通过所述盖构件的中央开口,其中所述中央开口的内轮廓包括具有第一直径的第一段、具有第二直径的第二段和具有第三直径的第三段,其中第二直径是在第一直径和第三直径之间,且第一直径从第二段朝向盖构件第一表面增加;和沟槽,所述沟槽沿着第一表面中的封闭路径形成且具有形成在沟槽的内表面中的凹槽。