用于LED制造的改良多腔室分离处理.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102414846A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102414846A(43)申请公布日2012.04.11(21)申请号201080019538.7(51)Int.Cl.(22)申请日2010.10.04H01L33/02(2006.01)H01L33/30(2006.01)(30)优先权数据H01L33/32(2006.01)61/249,4702009.10.07USH01L21/205(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日2011.10.28(86)PCT申请的申请数据PCT/US2010/0513332010.10.04(87)PCT申请的公布数据WO2011/044046EN2011.04.14(71)申请人应用材料公司地址美国加利福尼亚州(72)发明人苏杰(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人陆嘉张欣权利要求书2页说明书13页附图7页(54)发明名称用于LED制造的改良多腔室分离处理(57)摘要本文所述实施例大致关于藉由金属-有机化学气相沉积(MOCVD)处理与/或氢化物气相磊晶(HVPE)处理形成III-V族材料的方法。一实施例中，在第一腔室中于基板上执行III1族-N层的沉积，在第二腔室中于基板执行III2族-N层的沉积，并在与沉积III2族-N层的腔室不同的腔室中于基板上执行III3族-N层的沉积。在III2族-N层沉积与III3族-N层沉积之间，于基板上执行一或多个表面处理以降低界面处的非辐射复合并改善生成结构的整体电致发光。CN102486ACCNN110241484602414860A权利要求书1/2页1.一种制造化合氮化物半导体结构的方法，包括下列步骤：将第一III族前驱物与第一含氮前驱物流入第一处理腔室，以在配置于一或多个基板上的现有层上沉积第一层；在不暴露该一或多个基板于大气的情况下，将所述一或多个基板传送进入第二基板处理腔室；在所述一或多个基板上执行表面处理以移除所述第一层的一部分；及将第二III族前驱物与第二含氮前驱物流入所述第二处理腔室以在所述第一层上沉积第二层。2.如权利要求第1项所述的方法，其中执行表面处理的步骤包括在约500℃与约1200℃之间的温度下将蚀刻气体流过所述一或多个基板的表面。3.如权利要求第2项所述的方法，其中所述蚀刻气体选自氢气、氨与卤素气体所构成的群组。4.如权利要求第3项所述的方法，其中所述现有层包括第一III族氮化物，所述第一层包括不同于该第一III族氮化物的第二III族氮化物，所述第二层包括不同于该第一与第二III族氮化物的第三III族氮化物。5.如权利要求第1项所述的方法，其中执行表面处理的步骤包括引导氮或氩等离子体经过所述一或多个基板的表面。6.一种制造化合氮化物半导体结构的方法，包括下列步骤：将第一III族前驱物与第一含氮前驱物流入第一处理腔室，以在配置于一或多个基板上的现有层上沉积第一层；在所述一或多个基板上执行表面处理以至少部分地钝化该第一层；在不暴露所述一或多个基板于大气的情况下，传送所述一或多个基板进入第二基板处理腔室；及将第二III族前驱物与第二含氮前驱物流入所述第二处理腔室以在所述第一层上沉积第二层。7.如权利要求第6项所述的方法，其中执行表面处理的步骤包括在富氮环境中终止所述第一III族前驱物与所述第一氮前驱物的流动。8.如权利要求第7项所述的方法，其中执行表面处理的步骤包括在所述第一层上形成钝化层。9.如权利要求第8项所述的方法，其中形成所述钝化层的步骤包括将前驱物流过所述一或多个基板，该前驱物选自镁前驱物、镓前驱物与铝前驱物所构成的群组。10.如权利要求第19项所述的方法，其中所述表面处理在约500℃与约1200℃间的温度下执行。11.如权利要求第8项所述的方法，还包括在传送所述一或多个基板进入所述第二处理腔室之后移除所述钝化层。12.如权利要求第11项所述的方法，其中移除所述钝化层的步骤包括在一高温下将蚀刻气体流过所述一或多个基板的表面。13.一种制造化合氮化物半导体结构的方法，包括下列步骤：将第一III族前驱物与第一含氮前驱物流入第一处理腔室，以在配置于一或多个基板2CCNN110241484602414860A权利要求书2/2页上的现有层上沉积第一层；将p-型掺质流过所述第一层，以轻微地掺杂所述第一层的表面；在不暴露所述一或多个基板于大气的情况下，传送所述一或多个基板进入第二基板处理腔室；及将第二III族前驱物与第二含氮前驱物流入所述第二处理腔室以在所述第一层上沉积第二层。14.如权利要求第13项所述的方法，其中将所述第二III族前驱物与所述第二含氮前驱物流入所述第二处理腔室的步骤包括将所述p-型掺质流入所述第二处理腔室以掺杂所述第二层。1