功率MOS器件抗辐照能力无损评价方法研究的中期报告.docx

功率MOS器件抗辐照能力无损评价方法研究的中期报告
本研究工作旨在探讨一种适用于功率MOS器件抗辐照能力无损评价的方法。研究进展如下：
1.控制实验条件
首先，我们从实验条件入手，控制了实验室环境和实验设备的稳定性。我们使用同样的辐照源、电源和测量设备，以及统一的温度和湿度条件，以使实验数据更准确、更可靠。
2.选择评价指标
接下来我们选择了几个重要的评价指标：漏电流、漏电流变化率、阈值电压、导通电阻、剪切强度和外观等。
3.实验方案
我们设计了一个实验方案，将不同剂量的离子辐照施加于功率MOS器件上，然后测量其不同评价指标的变化程度。同时，我们还将进行一些控制组实验。
4.实验进展
至今我们已经完成了功率MOS器件的离子辐照实验，并测量了不同剂量下的漏电流、漏电流变化率、阈值电压和导通电阻等指标。初步的结果表明，当剂量增加时，漏电流和漏电流变化率均有所增加，而阈值电压和导通电阻则呈现出先降低后增加的趋势。
5.下一步工作
我们将进一步分析实验数据，拟定评价准则，并来评估不同指标的敏感程度和可信度。下一步的工作将着重于评估实验数据的稳定性和可重复性，以及在实验条件下对功率MOS器件抗辐照能力的有效性和可靠性得出结论。