MOS器件的HPM辐照效应研究的任务书.docx

MOS器件的HPM辐照效应研究的任务书
任务名称：MOS器件的HPM辐照效应研究
任务目的：研究高功率微波（HPM）辐照对MOS器件性能的影响，探讨MOS器件的辐射防护措施。
任务内容：
1.对MOS器件进行HPM辐照，观察器件的性能变化，并进行分析。
2.研究HPM辐照对MOS器件的门电容、漏电流、迁移率等参数的影响。
3.考虑不同材料制成的MOS器件的辐照效应不同，需要对不同材料的MOS器件进行测试比较。
4.探讨提高MOS器件的抗辐射性能措施，比如采用辐射硅、辐射硅成分的材料制成器件，并进行实验验证。
实验步骤：
1.采用高功率微波对MOS器件进行辐照。
2.对辐照前后的MOS器件的门电容、漏电流、迁移率等参数进行测试和记录。
3.针对不同材料制成的MOS器件进行测试比较。
4.针对辐照效应较强的MOS器件提出辐射防护措施，比如采用辐射硅、辐射硅成分的材料制成器件，并进行实验验证。
5.根据实验结果，总结MOS器件的HPM辐照效应规律，并提出改进方案。
参考文献：
1.《MOS器件电学性能辐射效应研究》
2.《辐照硅材料制成MOS器件的抗辐射性能研究》
3.《高功率微波辐射防护技术及应用研究》