MOVPE法生长碲镉汞薄膜材料技术研究的任务书.docx

MOVPE法生长碲镉汞薄膜材料技术研究的任务书
任务名称：MOVPE法生长碲镉汞薄膜材料技术研究
任务目的：通过MOVPE方法研究碲镉汞薄膜材料的生长技术，探索其在光电器件领域的应用。
任务背景：碲镉汞材料是具有重要应用价值的半导体材料之一，可以用于太阳能电池、光电探测器、激光二极管等领域。其中MOVPE法是一种高效的薄膜生长方法，可以获得高品质的碲镉汞薄膜材料。因此，研究碲镉汞薄膜材料的MOVPE生长技术，对于加快其实际应用具有重要的意义。
任务内容：
1.设计碲镉汞薄膜生长的实验，并建立相关实验流程和操作规程。
2.采用MOVPE生长法，对碲镉汞薄膜进行生长，并测试其物理性质。
3.对碲镉汞薄膜的结构、光电性能等进行分析和表征。
4.研究不同生长条件对碲镉汞薄膜材料特性的影响。
5.探索碲镉汞薄膜材料在光电器件领域的应用前景，提出可行的应用方案。
任务成果：
1.生长碲镉汞薄膜的实验流程和操作规程；
2.MOVP生长技术下生长的碲镉汞薄膜材料的物理性质测试报告；
3.生长的碲镉汞薄膜材料的结构、光电性能等相关分析报告；
4.对比不同生长条件下碲镉汞薄膜材料的特性分析报告；
5.探索碲镉汞薄膜材料在光电器件领域的应用方案。
任务周期：6个月
任务预算：50万元