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Si基短波碲镉汞材料分子束外延生长研究
近年来，由于短波红外及其以下频段的光电子学和信息技术的高速发展，导致了对高效、高性能红外探测器材料的需求不断增长。而Si基短波碲镉汞材料作为一种高性能和高效的红外探测器材料，已经得到广泛关注和研究。本文将阐述Si基短波碲镉汞材料分子束外延生长研究的相关内容。
一、概述
分子束外延技术是材料科学领域一种高效的材料制备技术，广泛应用于半导体器件和光电子器件的制备中。Si基短波碲镉汞材料作为一种高性能的红外探测材料，其制备技术也得到了广泛关注。本文将介绍Si基短波碲镉汞材料的分子束外延生长方法及其研究进展。
二、Si基短波碲镉汞材料分子束外延生长方法
Si基短波碲镉汞材料分子束外延生长方法是将高纯度的碲、镉、汞等金属源与Si基底材料科学的结合在一起，通过在真空条件下，利用热蒸发、高压汽化等方法，形成原子或分子束，控制其方向和大小，在高温下在Si基底上生长所需要的化合物材料。该方法的生长速度可达到1-10微米/小时，并且生长的控制性和重复性都很好。
三、Si基短波碲镉汞材料分子束外延生长方法的研究进展
1、Si基短波碲镉汞材料的外延生长方法已经逐步被完善。例如，研究者探究了生长温度和镉碲比例对材料结构和光谱响应的影响等，获得了较好的生长效果。
2、研究员们探究了受激发的锰态贡献对于Si基短波碲镉汞材料光谱响应的影响，并提出了一种确保最大光敏感性及能量分辨率的特定锰族活化技术。
3、研究者也积极探索了使用新型亚稳态SiC源替代传统SiC源生长的Si基短波碲镉汞材料的分子束外延，以提高材料的结晶性和性能，有效地改善生长过程中的结构变形等问题。
四、结论
在Si基短波碲镉汞材料的分子束外延生长研究方面，随着研究的深入，生长方法的控制性和重复性都得到了提高，多种工艺条件也逐步完善，制备出了化学成分均匀、光谱响应系数高、低暗电流密度等性能优良的探测器材料。这为作为红外探测器的应用奠定了更加严格的基础。