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ZnO薄膜的常压MOCVD生长及掺杂研究的中期报告
本项目旨在研究常压下采用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）生长ZnO薄膜并进行掺杂，包括N掺杂和Al掺杂。以下是研究进展的中期报告。
1.实验方法
通过常规MOCVD装置，在Sapphire基底上生长ZnO薄膜，采用乙酮酸锌和二甲基锌作为前体材料，使用氧气和二氧化氮作为气体载体，生长温度为650℃，压力为760Torr。在生长ZnO薄膜的过程中，将掺氮或掺铝的前体材料引入气流中，实现对薄膜的掺杂。
2.结果分析
通过X射线衍射仪（XRD）和扫描电镜（SEM）对生长的ZnO薄膜进行了表征。观察到薄膜表面均匀，并且呈现出典型的ZnO的结构。掺杂前后的薄膜XRD图谱没有变化，表明掺杂并未影响到薄膜的结构。
在完成样品的生长和表征后，我们对样品进行了光电学测试。掺氮的ZnO薄膜光吸收峰红移，这表明氮掺杂引入了能隙缩小，增强了薄膜的光吸收能力。而Al掺杂的ZnO薄膜则呈现出光吸收的蓝移趋势，这表明铝掺杂引起了能隙变窄的效应。
3.下一步工作
下一步的工作将集中在优化掺杂条件，以获得更好的掺杂效果，并进行更深入的光电学研究，以进一步了解掺杂对薄膜光学性质的影响。同时，我们也将继续探索MOCVD生长技术在ZnO薄膜生长中的应用，以获得更高质量的样品。