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GaAs衬底上ZnO薄膜的MOCVD生长及性能研究的中期报告
这个项目旨在研究在GaAs衬底上使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长ZnO薄膜，并探究薄膜的特性。我们已经完成了实验设计和实验的一部分，并进行了初步的数据分析。下面是我们的中期报告：
实验设计：
我们选择了GaAs衬底作为基底，使用MOCVD技术在其上沉积ZnO薄膜。我们通过设计不同的生长条件，如生长温度，沉积速率和气体流量等，来探究这些因素对薄膜生长和质量的影响。
实验过程：
我们使用了自制的MOCVD反应器，并通过气相输送系统提供所需的前驱体和载气。我们对不同的生长条件进行了测试，并在每次实验前对反应器进行了干净和预热处理。在生长过程中，我们使用了X射线衍射仪和扫描电子显微镜等仪器来测试薄膜的质量和特性。
初步结果：
根据我们的初步实验结果，我们发现生长温度和沉积速率对薄膜质量和晶体结构有很大的影响。过高或过低的生长温度和沉积速率会导致薄膜表面粗糙度增加或晶粒尺寸不均匀。此外，我们还观察到了不同富氧条件下的薄膜性质和表面形貌的变化。
未来工作：
我们计划继续测试其他关键参数，如气体流量、沉积时间等，以得出更全面的参数对薄膜质量影响的结论。我们还将对不同生长条件下的薄膜进行电学性能测试，并比较其与基底的差异。最后，我们希望通过所得到的结果，探究用于光电器件的优秀ZnO薄膜生长的合适条件。