一种多晶硅铸锭硅片清洗设备.pdf
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一种多晶硅铸锭硅片清洗设备.pdf
本发明涉及一种多晶硅铸锭硅片清洗设备,包括加工箱体、抛光轴、驱动机、转轴、内箱、集水槽、泵体、电机一、滑轮、传动轴、绳索、电机二、支架、高压喷头、滑块、齿条、齿轮和安装轴,转轴转动连接在加工箱体内部,且与驱动机的输出端传动连接,抛光轴设置在转轴上,内箱位于集水槽上方,两个滑轮对称转动连接在传动轴上,滑轮通过绳索与内箱固定连接,传动轴与电机一的输出端传动连接,齿条通过滑块滑动连接在加工箱体内部,齿轮通过安装轴转动连接在加工箱体内部,高压喷头铜鼓支架与齿条固定连接,本发明结构优良,设计合理,操作简便,消除抛光
一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法.pdf
本发明公开了一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法,其主要步骤如下:(1)清洗;(2)真空蒸镀铝层;(3)进炉;(4)第一步退火;(5)匀速降至低温;(6)第二步退火;(7)降温;(8)除去杂质层。经过大量的实验验证,本发明工艺能除去铸锭多晶硅片中大部分的金属杂质(如铁、镍、铜、钴等),从而增加少子寿命提高太阳能电池的光电转换效率。通过仪器测定,经过本发明铝吸杂的多晶硅片的平均少子寿命在15.80μs左右,并且本发明的铝吸杂工艺较为稳定,有较高的工业化生产价值。
硅片制备--多晶硅铸锭炉和单晶炉.ppt
第二节硅片制备中的热工设备--单晶炉和多晶硅铸锭炉一、单晶炉1.1切克劳斯基法(Czochralsik:CZ法)1917年由切克斯基建立的一种晶体生长方法现成为制备单晶硅的主要方法。把高纯多晶硅放入高纯石英坩埚,在硅单晶炉内熔化;然后用一根固定在籽晶轴上的籽晶插入熔体表面,待籽晶与熔体熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶体便在籽晶下端生长。CZ法是利用旋转着的籽晶从坩埚中的熔体中提拉制备出单晶的方法,又称直拉法直拉单晶炉及其基本原理优缺点1.2悬浮区熔法(区熔法或FZ法)1.3基座法1.4片状单晶生长法(EFG法)
一种多晶硅铸锭设备.pdf
本发明公开了一种多晶硅铸锭设备,包括上炉室、下炉室、承重台、升降装置和炉室底座,所述上炉室内设有保温毡,所述保温毡内设有熔料坩埚,所述熔料坩埚与所述下炉室之间通过硅液导管相连接,所述下炉室包括保温罩,所述保温罩下部设有冷却板,所述保温罩和冷却板组成密封的腔室,所述腔室内设有结晶器,所述结晶器包括结晶坩埚、石墨护板和热交换块,所述冷却板下设有承重台,所述承重台通过升降装置与炉室底座相连。本发明结构简单,操作方便,安全可靠,可以有效提高多晶硅锭块的质量。
一种用于多晶硅片扩散前清洗的方法.pdf
一种用于多晶硅片扩散前清洗的方法,包括以下步骤:(1)将多晶硅片置于按体积比混合的溶液中:质量分数37%的浓盐酸18-24份、质量分数65%的浓硝酸6-8份、去离子水98-106份,常温清洗60-360s;(2)将步骤(1)清洗后的硅片置于用去离子水中常温浸泡80-240s以清除残留在硅片表面的硝酸和盐酸;(3)将步骤(2)清洗过的硅片放入按体积比混合的溶液中:质量分数49%的浓氢氟酸15-35份,质量分数37%的浓盐酸15-35份,去离子水75-100份,常温浸泡120-360s,去除硅片表面形成的氧化