复合构件、散热构件、半导体装置和制造复合构件的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110036473A(43)申请公布日2019.07.19(21)申请号201780074099.1(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司1(22)申请日2017.11.081219代理人王伟安翔(30)优先权数据2016-2369592016.12.06JP(51)Int.Cl.H01L23/373(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C22C26/00(2006.01)2019.05.30C22C29/06(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H05K7/20(2006.01)PCT/JP2017/0403242017.11.08(87)PCT国际申请的公布数据WO2018/105297JA2018.06.14(71)申请人住友电气工业株式会社地址日本大阪府大阪市申请人联合材料公司(72)发明人岩山功小山茂树冈本匡史井上祐太绀谷洋之山本刚久权利要求书1页说明书27页附图6页(54)发明名称复合构件、散热构件、半导体装置和制造复合构件的方法(57)摘要一种设置有基板的复合构件，所述基板由包含金属和非金属的复合材料构成。所述基板的一个表面具有球面状翘曲，该球面状翘曲的曲率半径R不小于5000毫米且不大于35000毫米。测量所述基板的翘曲部分的轮廓的多个测量点与由所述多个测量点限定的近似弧之间的平均距离被定义为球面误差。所述球面误差不大于10.0微米，所述基板的热导率不低于150W/m·K，并且线膨胀系数不大于10ppm/K。CN110036473ACN110036473A权利要求书1/1页1.一种复合构件，包括:基板，所述基板由包含金属和非金属的复合材料构成，所述基板的一个表面具有球面状翘曲，所述球面状翘曲的曲率半径R不小于5000毫米且不大于35000毫米，球面误差，所述球面误差不大于10.0微米，所述球面误差被定义为测量所述基板的翘曲部分的轮廓的多个测量点与由所述多个测量点所限定的近似弧之间的平均距离，并且所述基板的热导率不低于150W/m·K，并且线膨胀系数不大于10ppm/K。2.根据权利要求1所述的复合构件，其中，所述非金属的含量不低于55体积％。3.根据权利要求1或2所述的复合构件，其中，在施加从-60℃到175℃的10次、100次和1000次热循环前后之间的曲率半径R的变化率不高于20％。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的复合构件，其中，在进行300℃×1小时的热处理前后之间的曲率半径R的变化率不高于20％。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的复合构件，其中，所述基板的一个表面具有球面状凸起翘曲，并且相反的另一个表面具有凹进翘曲，并且残余应力差的绝对值|X1-X2|小于105×(H/L2)(MPa)，其中，X1(MPa)表示所述基板的凸起表面中的重心位置处的残余应力，X2(MPa)表示所述基板的凹进表面中的重心位置处的残余应力，L(mm)表示包含所述基板的外周的矩形的对角线长度，并且H(mm)表示所述基板的厚度。6.根据权利要求5所述的复合构件，其中，所述基板的所述凸起表面中的所述重心位置处的残余应力和所述基板的所述凹进表面中的所述重心位置处的残余应力都是压缩应力或拉伸应力。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的复合构件，其中，采用镁或镁合金作为所述金属，并且所述非金属包括SiC。8.根据权利要求1至6中的任一项所述的复合构件，其中，采用铝或铝合金作为所述金属，并且所述非金属包括SiC。9.一种散热构件，包括根据权利要求1至8中的任一项所述的复合构件。10.一种半导体装置，包括:根据权利要求9所述的散热构件；以及半导体元件，所述半导体元件被安装在所述散热构件上。11.一种制造复合构件的方法，所述方法用于通过加工由包含金属和非金属的复合材料构成的基板材料来制造复合构件，所述复合构件包括经加工的基板，所述方法包括:压制步骤，所述压制步骤通过将所述基板材料容纳在曲率半径不小于5000mm且不大于35000mm的模具中来执行热压，所述压制步骤包括：以规定的时间维持超过200℃的加热温度和不低于10kPa的施加压力，以及在维持施加不低于所述所施加压力的80％的压力的状态下，执行从所述加热温度到不高于100℃的温度的冷却。2CN110036473A说明书1/27页复合构件、散热构件、半导体装置和制造复合构件的方法技术领域[0001]本发明涉及复合构件、散热构件、半导体装置和制造复合构件的方法。[0002]本申请要求2016年12月6日提交的日本专利申请第2016-236959号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。背景技术[0003]专利文献1公开了一种镁基复合材料(以下可称为Mg-SiC)，其中，镁