一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110556146A(43)申请公布日2019.12.10(21)申请号201810554861.2(22)申请日2018.06.01(71)申请人北京兆易创新科技股份有限公司地址100083北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层申请人合肥格易集成电路有限公司(72)发明人贺元魁潘荣华史兵(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人孟金喆(51)Int.Cl.G11C16/10(2006.01)G11C16/34(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图6页(54)发明名称一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质(57)摘要本发明公开了一种存储单元的编程方法，该方法包括：采用第一类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第一轮编程操作；当设定等级的存储单元编程校验通过时，记录当前次编程循环采用的编程电压值；或者，当所述第一次编程操作中编程循环的次数达到设定阈值时，记录最后一次编程循环采用的编程电压值；采用以所述编程电压值为初始值的第二类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第二轮编程操作；其中，存储单元的等级依据存储单元的目标阈值电压的分布范围划分。通过采用上述技术方案实现了快速将存储单元的阈值电压抬升到较高区域，节省了编程时间，提高了编程性能。CN110556146ACN110556146A权利要求书1/2页1.一种存储单元的编程方法，其特征在于，包括：采用第一类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第一轮编程操作；当设定等级的存储单元编程校验通过时，记录当前次编程循环采用的编程电压值；或者，当所述第一轮编程操作中编程循环的次数达到设定阈值时，记录最后一次编程循环采用的编程电压值；采用以所述编程电压值为初始值的第二类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第二轮编程操作；其中，存储单元的等级依据存储单元的目标阈值电压的分布范围划分。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用第一类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第一轮编程操作，包括：采用特定编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行一次编程操作；对设定等级的存储单元进行编程校验；若所述设定等级的存储单元编程校验不通过，则将当前次编程循环采用的编程电压增加设定值得到下次编程循环时需要的新编程电压，以更新所述特定编程电压；采用所述新编程电压重复上述编程循环操作，直到所述设定等级的存储单元编程校验通过或者编程循环的次数达到设定阈值；其中，一次编程循环包括执行一次编程操作和一次编程校验。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对设定等级的存储单元进行编程校验，包括：对所述设定等级的存储单元逐个进行编程校验，并屏蔽编程校验通过的存储单元；若所述设定等级的存储单元中存在编程校验不通过的存储单元，则确定所述设定等级的存储单元编程校验不通过。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对设定等级的存储单元进行编程校验，包括：对所述设定等级的存储单元中等级最低的存储单元进行编程校验，若编程校验不通过，则确定所述设定等级的存储单元编程校验不通过；若编程校验通过，则屏蔽该存储单元并对所述设定等级的存储单元中除校验已通过的存储单元之外的其他存储单元中等级最低的存储单元进行编程校验，并重复上述编程校验的判断操作；当所述设定等级的所有存储单元的编程校验均通过时，则确定所述设定等级的存储单元编程校验通过。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用以所述编程电压值为初始值的第二类编程电压对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行第二轮编程操作，包括：采用所述编程电压值对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元执行一次编程操作；对所述编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行编程校验；2CN110556146A权利要求书2/2页若编程校验不通过，则将当前次编程循环采用的编程电压增加设定值得到下次编程循环时需要的新编程电压，以更新所述编程电压值；采用所述新编程电压重复上述编程循环操作，直到编程校验通过。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对所述编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行编程校验，包括：对所述编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元逐个进行编程校验，并屏蔽编程校验通过的存储单元；若存在编程校验不通过的存储单元，则确定编程校验不通过。7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述设定等级的存储单元为编程区域中目标阈值电压分布在较低范围的存储单元。8.一种存储单元