一种存储单元的擦除方法、装置、电子设备及存储介质.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114283864A(43)申请公布日2022.04.05(21)申请号202111399854.8(22)申请日2021.11.19(71)申请人成都博尔微晶科技有限公司地址610096四川省成都市自由贸易试验区成都高新区天府大道中段666号2栋8楼802号申请人芯天下技术股份有限公司(72)发明人徐明揆吴彤彤温靖康(74)专利代理机构佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙)44377代理人陈志超(51)Int.Cl.G11C13/00(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图3页(54)发明名称一种存储单元的擦除方法、装置、电子设备及存储介质(57)摘要本发明涉及半导体集成电路技术领域，具体公开了一种存储单元的擦除方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：检查存储单元中待擦除的操作区域的数据，并将数据调整一致；擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第一调节电压以下；擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下；擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下，并对操作区域进行后编程，以使操作区域的阈值电压在目标阈值电压范围内；该方法有效缩小了该操作区域的阈值电压的分布区域，从而提高了该操作区域的阈值电压的一致性，并提高了存储单元的擦除效率，有利于该存储单元后续进行写、擦操作。CN114283864ACN114283864A权利要求书1/2页1.一种存储单元的擦除方法，用于擦除存储单元内数据，其特征在于，所述方法包括以下步骤：检查所述存储单元中待擦除的操作区域的数据，并将所述数据调整一致；擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第一调节电压以下，所述第一调节电压小于读取电压；擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下，所述目标阈值电压的上限小于所述第一调节电压；擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下，并对所述操作区域进行后编程，以使所述操作区域的阈值电压在所述目标阈值电压范围内，所述第二调节电压小于所述目标阈值电压的上限。2.根据权利要求1所述的一种存储单元的擦除方法，其特征在于，所述检查所述存储单元中待擦除的操作区域的数据，并将所述数据调整一致的步骤包括：检查所述存储单元中待擦除的操作区域的数据，在所述操作区域内存在数据0时，对所述操作区域进行预编程以使所述操作区域内数据一致。3.根据权利要求1所述的一种存储单元的擦除方法，其特征在于，所述擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第一调节电压以下的步骤包括：逐次递增电压地采用第一擦除电压对所述操作区域进行擦除，并利用所述第一调节电压作为擦除校验电压检查每次擦除后的所述操作区域内数据，直至所述操作区域内数据全部为数据1。4.根据权利要求3所述的一种存储单元的擦除方法，其特征在于，所述擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下的步骤包括：逐次递增电压地采用第二擦除电压对所述操作区域进行擦除，并利用所述目标阈值电压的上限作为擦除校验电压检查每次擦除后的所述操作区域内数据，直至所述操作区域内数据全部为数据1，所述第二擦除电压的起始值大于或等于第一擦除电压的终值。5.根据权利要求4所述的一种存储单元的擦除方法，其特征在于，所述擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下的步骤包括：重复采用第二擦除电压的终值擦除所述操作区域，直至所述操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下。6.根据权利要求1所述的一种存储单元的擦除方法，其特征在于，所述擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下的步骤中若无法将所述操作区域的阈值电压均擦除至第二调节电压以下，或所述对所述操作区域进行后编程的步骤中无法将所述操作区域的阈值电压均编程至所述目标阈值电压的下限以上，标志所述操作区域擦除失败并退出擦除。7.根据权利要求1所述的一种存储单元的擦除方法，其特征在于，所述第一调节电压与所述目标阈值电压的上限的差值大于或等于所述目标阈值电压的上限与所述第二调节电压的差值。8.一种存储单元的擦除装置，用于擦除存储单元内数据，其特征在于，所述装置包括：调整模块，用于检查所述存储单元中待擦除的操作区域的数据，并将所述数据调整一致;第一擦除模块，用于擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第一调节电压2CN114283864A权利要求书2/2页以下，所述第一调节电压小于读取电压；第二擦除模块，用于擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下，所述目标阈值电压的上限小于所述第一调节电压；擦除及后编程模块，用于擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下，并对所述操