切割多层基板的方法及切割装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110842378A(43)申请公布日2020.02.28(21)申请号201910543649.0(22)申请日2019.06.21(30)优先权数据2018-1412212018.07.27JP(71)申请人三星钻石工业股份有限公司地址日本大阪(72)发明人上野勉西尾仁孝高松生芳酒井敏行(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240代理人潘树志(51)Int.Cl.B23K26/38(2014.01)B26D1/14(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图4页(54)发明名称切割多层基板的方法及切割装置(57)摘要一种切割多层基板的方法及切割装置，在使用刻划轮进行的对OLED等多层基板的切割中，抑制刻划轮从欲形成切割线的期望线偏离。切割由第一PET层(L2)、PI层(L1)、第二PET层(L3)构成的柔性OLED(多层基板)的方法具备第一激光切割步骤和轮切割步骤。在第一激光切割步骤中在第一PET层(L2)中形成开口角度(θ)在45～100度的范围内的第一槽(G1)。在轮切割步骤中使刻划轮(SW)一边通过第一槽(G1)，一边在PI层(L1)中形成切割线(SL)。CN110842378ACN110842378A权利要求书1/1页1.一种切割多层基板的方法，所述多层基板由第一PET层、PI层、第二PET层构成，所述切割多层基板的方法具备以下步骤：第一激光切割步骤，在所述第一PET层中形成开口角度在45～100度的范围内的第一槽；以及轮切割步骤，使轮切割单元一边通过所述第一槽，一边在所述PI层中形成切割部。2.根据权利要求1所述的切割多层基板的方法，其中在所述第一激光切割步骤中所形成的所述第一槽的宽度在40～200μm的范围内。3.根据权利要求1或2所述的切割多层基板的方法，所述切割多层基板的方法还具备：第二激光切割步骤，在所述轮切割步骤后，与所述切割部相对应而在所述第二PET层中形成第二槽。4.一种切割多层基板的装置，所述多层基板由第一PET层、PI层、第二PET层构成，所述切割多层基板的装置具备：激光切割单元，在所述第一PET层中形成开口角度在45～100度的范围内的第一槽；以及轮切割单元，一边通过所述第一槽，一边在所述PI层中形成切割部。2CN110842378A说明书1/6页切割多层基板的方法及切割装置技术领域[0001]本发明涉及柔性OLED(有机LED)等多层基板的切割方法及装置。背景技术[0002]一直以来，已知一种从一面照射激光沿期望线形成切割线的方法来作为切割如OLED基板这样的多层基板的方法(例如参照专利文献1)。[0003]在上述多层基板中，每层使用不同的材料的情况较多。在这种情况下，需要针对多层基板的每层使用不同的光源来形成切割线，因而切割多层基板的装置结构变得复杂。[0004]于是，考虑了在进行多层基板切割时使用刻划轮针对一部分层形成切割线的方法。[0005]例如，在具有形成有发光层的聚酰亚胺(PI)层、以及通过粘接层将聚对苯二甲酸乙二酯(PET)层粘接到聚酰亚胺层的表面的结构的OLED中，通过照射激光将PET层和粘接层除去以形成槽，进而使刻划轮通过该槽以在PI层中形成切割线。[0006]专利文献1：日本特开2018-15784号公报发明内容[0007]在上述切割方法中，一直以来使刻划轮通过的槽的槽宽比较宽(例如大于200μm)，开口角度也比较大(例如150°)。其中，槽的开口角度是由槽的两个侧壁形成的角度。[0008]如果使刻划轮通过具有上述那样的槽宽和开口角度的槽，那么会存在刻划轮未被槽充分约束，刻划轮的刀在变斜的状态下切入到PI层中的情况。因为一旦刻划轮的刀切入到PI层中，即使机械地移动加工点，刻划轮也不会跟随该移动，从而会存在刻划轮的刀在斜着进入到PI层中的状态下形成切割线的情况。因此，存在所形成的切割线大幅偏离想要形成切割线的本来的线的情况。[0009]本发明的目的在于，在使用刻划轮进行的多层基板的切割中，抑制由刻划轮形成的切割线大幅偏离本来的线。[0010]以下说明作为用于解决课题的手段的多个方式。这些方式可以根据需要任意组合。[0011]本发明的一个观点涉及的切割柔性OLED等多层基板的方法是一种切割由第一PET层、PI层、第二PET层构成的多层基板的方法。该方法具备以下步骤。[0012]·第一激光切割步，在第一PET层中形成开口角度在45～100度范围内的第一槽。[0013]·轮切割步骤，使轮切割单元一边通过第一槽，一边在PI层形成切割部。[0014]在上述切割多层基板的方法中，将在PI层中形成切割部的轮切割单元所通过的第一槽的开口角度设为45～100度。由此，当将轮切割单元插入到第一槽内时