一种大尺寸硅圆片减薄装置及其减薄工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110842762A(43)申请公布日2020.02.28(21)申请号201911135336.8B24B37/28(2012.01)(22)申请日2019.11.19B24B37/34(2012.01)H01L21/304(2006.01)(71)申请人天津中环领先材料技术有限公司H01L21/67(2006.01)地址300384天津市滨海新区华苑产业区（环外）海泰东路12号申请人中环领先半导体材料有限公司(72)发明人裴坤羽祝斌刘蛟龙武卫孙晨光刘建伟王聚安由佰玲刘园谢艳杨春雪刘秒常雪岩吕莹徐荣清(74)专利代理机构天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)12213代理人栾志超(51)Int.Cl.B24B37/08(2012.01)权利要求书1页说明书6页附图5页(54)发明名称一种大尺寸硅圆片减薄装置及其减薄工艺(57)摘要本发明提供一种大尺寸硅圆片减薄装置，包括用于放置硅圆片的载体座、用于放置左砂轮的左砂轮座以及用于放置右砂轮的右砂轮座，所述载体座、所述左砂轮座和所述右砂轮座同轴设置，所述左砂轮座和所述右砂轮座对称设置在所述载体座两侧且与所述载体座并行设置。本发明还提出一种大尺寸硅圆片减薄工艺。本发明尤其是适用于对尺寸直径为280-320mm的硅圆片进行立式双面减薄，结构设计合理且简单，不仅可对硅圆片两侧面同时同步进行磨削，而且各结构配合可控，拆装保养简单，省时省力，保证硅圆片双面减薄的平整度和稳定性，提升工作效率。CN110842762ACN110842762A权利要求书1/1页1.一种大尺寸硅圆片减薄装置，其特征在于，包括用于放置硅圆片的载体座、用于放置左砂轮的左砂轮座以及用于放置右砂轮的右砂轮座，所述载体座、所述左砂轮座和所述右砂轮座同轴设置，所述左砂轮座和所述右砂轮座对称设置在所述载体座两侧且与所述载体座并行设置。2.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅圆片减薄装置，其特征在于，所述载体座、所述左砂轮座和所述右砂轮座均为圆型结构且直径相同；所述载体座竖直放置。3.根据权利要求1或2所述的一种大尺寸硅圆片减薄装置，其特征在于，所述载体座内侧设有与所述硅圆片直径相适配的放置孔，在所述放置孔边缘任意位置处设有V型凸台，所述V型凸台顶端朝所述放置孔中心设置。4.根据权利要求3所述的一种大尺寸硅圆片减薄装置，其特征在于，所述载体座靠近所述左砂轮座一侧设有向内沿深的阶梯槽，靠近所述右砂轮座一侧设有内齿轮，所述阶梯槽和所述内齿轮相对于所述放置孔对称设置。5.根据权利要求4所述的一种大尺寸硅圆片减薄装置，其特征在于，所述左砂轮座包括同轴设置的第一左盘和第二左盘，所述第一左盘远离所述载体座设置；所述左砂轮置于所述第二左盘远离所述第一左盘一侧。6.根据权利要求5所述的一种大尺寸硅圆片减薄装置，其特征在于，所述右砂轮座包括同轴设置的第一右盘和第二右盘，所述第一右盘远离所述载体座设置；所述右砂轮置于所述第二右盘远离所述第一右盘一侧；在所述第二右盘上设有与所述外齿轮相啮合的外齿轮，所述外齿轮与所述右齿轮同轴设置。7.根据权利要求4-6任一项所述的一种大尺寸硅圆片减薄装置，其特征在于，所述第二左盘外径和所述第二右盘外径均与所述放置孔内径相适配。8.一种大尺寸硅圆片减薄工艺，其特征在于，包括采用如权利要求1-7任一项所述的减薄装置，步骤包括如下：S1：对所述硅圆片进行粗磨减薄；S2：对所述硅圆片进行阶梯减薄；S3：对所述硅圆片进行精磨减薄；在减薄过程中，所述左砂轮座和所述右砂轮座反向同步同速旋转，所述载体座与所述右砂轮座同向旋转。9.根据权利要求8所述的一种大尺寸硅圆片减薄工艺，其特征在于，所述S2包括第一阶段减薄和第二阶段减薄，所述左砂轮和所述右砂轮在所述第一阶段减薄中的进给速度大于在所述第二阶段减薄中的进给速度。10.根据权利要求9所述的一种大尺寸硅圆片减薄工艺，其特征在于，在减薄过程中，所述硅圆片的转速始终不变。2CN110842762A说明书1/6页一种大尺寸硅圆片减薄装置及其减薄工艺技术领域[0001]本发明属于半导体单晶硅磨削技术领域，尤其是涉及一种大尺寸硅圆片减薄装置及其减薄工艺。背景技术[0002]现有硅圆片逐渐向大尺寸化和薄片化发展，常规的小尺寸硅圆片有化学减薄和机械减薄两种。化学减薄就是通过用化学试剂与硅片表层发生反应，进而对硅片进行减薄。而对于大尺寸硅圆片由于尺寸面积较大，需要的化学试剂槽尺寸有限，且相互叠放的硅圆片无法被化学试剂完全腐蚀，容易导致减薄不均匀，成品率较低。机械减薄就是利用砂轮打磨硅圆片表面，通常由单个砂轮打磨完一面，硅圆片翻面后再加工另一面；这种减薄方式对于大尺寸硅圆片而言，单面加工时间较长，而且无法保证两面几何参数的一致性