一种对硅片表面进行沉积掺杂的工艺方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111403271A(43)申请公布日2020.07.10(21)申请号202010236254.9(22)申请日2020.03.30(71)申请人深圳市拉普拉斯能源技术有限公司地址518118广东省深圳市坪山区坑梓街道吉康路1号(72)发明人林佳继庞爱锁刘群张武林依婷(74)专利代理机构杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)33283代理人董世博(51)Int.Cl.H01L21/205(2006.01)H01L21/223(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图1页(54)发明名称一种对硅片表面进行沉积掺杂的工艺方法(57)摘要本发明提供一种对硅表面进行沉积掺杂的工艺方法，包括一个能够容纳硅片并能够允许硅在其中进行表面沉积掺杂反应的腔室，所述腔室内能够被通入用于沉积掺杂和/或有利于沉积掺杂的气体，所述的腔室可以是密闭的，所述的腔室内可以被通入或者释放气体，所述的腔室内可以进行温控或者调压，所述的腔室内所述工艺方法在沉积掺杂的反应过程中轮流间隔地通入不同或相同的气体。本发明有益于提高掺杂浓度，并且有益于提高掺杂源的均匀分布。CN111403271ACN111403271A权利要求书1/2页1.一种对硅表面进行沉积掺杂的工艺方法，所述工艺方法包括一个能够容纳硅片并能够允许硅在其中进行表面沉积掺杂反应的腔室，所述腔室内能够被通入用于沉积掺杂和/或有利于沉积掺杂的气体，其特征是，所述工艺方法在沉积掺杂的反应过程中轮流间隔地通入不同或相同的气体。2.根据权利要求1所述的一种对硅表面进行沉积掺杂的工艺方法，其特征是，所述气体包括能够分解或吸附在硅片表面或与硅片表面物质发生反应的反应气体。3.根据权利要求2所述的一种对硅表面进行沉积掺杂的工艺方法，其特征是，所述反应气体可以单独通入或者加稀释气体或促进反应的气体通入。4.根据权利要求3所述的一种对硅片表面进行沉积掺杂的工艺方法，其特征是，所述稀释气体能够用于稀释反应气体，且不与反应气体或硅片发生反应或沉积，所述稀释气体可以包括惰性气体、氮气、氢气等。5.根据权利要求3所述的一种对硅片表面进行沉积掺杂的工艺方法，其特征是，所述促进气体能够用于促进反应气体对于分解或吸附在硅片表面或与硅片表面物质发生的反应，所述促进气体可以包括氢气。6.根据权利要求2所述的一种对硅表面进行沉积掺杂的工艺方法，其特征是，所述反应气体可以包括主反应气体和掺杂源气体,。7.根据权利要求6所述的一种对硅表面进行沉积掺杂的工艺方法，其特征是，所述主反应气体可以采用硅烷，掺杂源气体可采用包括磷烷、乙硼烷、硼烷、氯化硼的气体。8.根据权利要求6所述的一种对硅表面进行沉积掺杂的工艺方法，其特征是，所述主反应气体可以采用氧气，掺杂源气体可采用包括氯化硼、氮气或氩气携带的三氯氧磷、氮气或氩气携带的溴化硼等气体。9.根据权利要求6或7所述的一种对硅表面进行沉积掺杂的工艺方法，其特征是，所述主反应气体和所述掺杂源气体轮流通入置有硅片的腔体内进行工艺。10.根据权利要求9所述的一种对硅表面进行沉积掺杂的工艺方法，其特征是，所述主反应气体和所述掺杂源气体分时段通入置有硅片的腔体内进行工艺。11.根据权利要求1所述的一种对硅片表面进行沉积掺杂的工艺方法，其特征是，所述腔体可采用LPCVD反应炉或采用扩散炉。12.根据权利要求1所述的一种对硅片表面进行沉积掺杂的工艺方法，其特征是，所述腔体内的反应条件控制在温度范围500～800度，工艺压力范围0～1200mtorr。13.根据权利要求1或12所述的一种对硅片表面进行沉积掺杂的工艺方法，其特征是，所述腔体内的反应条件控制在温度范围770～900度，工艺压力范围20mbar～常压。14.根据权利要求1所述的一种对硅片表面进行沉积掺杂的工艺方法，其特征是，所述轮流间隔通气可先通入硅烷，一段时间后停止并抽尽硅烷；再通入氮气，一段时间后停止并抽尽氮气；再通入掺杂源气体；一段时间后停止并抽尽掺杂源气体，再通入氮气；依此循环。15.根据权利要求1所述的一种对硅片表面进行沉积掺杂的工艺方法，其特征是，所述轮流间隔通气可先通入硅烷和氮气，一段时间后停止并抽尽前述气体；再通入氮气，一段时间后停止并抽尽氮气；再通入掺杂源气体和氮气，一段时间后停止并抽尽前述气体；再通入氮气；依此循环。16.根据权利要求1所述的一种对硅片表面进行沉积掺杂的工艺方法，其特征是，所述2CN111403271A权利要求书2/2页轮流间隔通气可先通入硅烷，一段时间后停止并抽尽硅烷；再通入掺杂源气体，一段时间后停止并抽尽掺杂源气体；依此循环。17.根据权利要求1所述的一种对硅片表面进行沉积掺杂的工艺方法，其特征是，所述轮流