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硅片硼掺杂方法.pdf
2023-06-14
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哲妍****彩妍
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相关资料
硅片硼掺杂方法.pdf
本发明涉及一种硅片硼掺杂方法。该方法包括步骤：将硅片的表面进行制绒处理，并在所述硅片的表面上形成硼掺杂源层；采用第一激光参数，对所述硼掺杂源层进行激光处理，形成第一p+区域；对所述硅片的表面进行清洗，去除剩余的所述硼掺杂源；采用第二激光参数，对所述第一p+区域进行处理，使得所述第一p+区域内的硼掺杂源进一步扩散，形成第二p+区域，其中，所述第二激光参数中的激光脉冲宽度小于所述第一激光参数中的激光脉冲宽度。上述硅片硼掺杂方法，不仅提高掺杂的均匀性，还能实现低浓度深掺杂结，使得短波响应更加明显。
2023-06-14
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用于对硅片进行掺硼的方法.pdf
本发明涉及一种对放置在炉子腔室中的衬底上的硅片进行P型掺硼的方法，腔室的一端包括壁，用于引入反应气体和气态形式硼前驱物的运载气体的装置位于该壁中，由此所述方法包括以下阶段：a)在腔室中，在1kPa-30kPa的压力下并在800℃-1100℃的温度下，使反应气体与在运载气体中稀释的三氯化硼BCl3反应，以形成氧化硼B2O3玻璃层，b)在N2+O2的气氛下并在1kPa-30kPa的压力下，在硅中实施硼原子的扩散。本发明还涉及用于实施所述掺硼方法的炉子及其应用，用于制造大的掺硼硅片，尤其用于光伏应用。
2023-06-20
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硼掺杂磷酸铁钡的制备方法.pdf
本发明提出了一种硼掺杂磷酸铁钡的制备方法，其化学式为：Ba(FePO4)2，其钡源、铁源、磷酸根源的原料，按照化学式Ba(FePO4)2的mol比例计量；掺杂元素源，按理论可生成磷酸铁钡的重量计，按0.1—5%范围重量百分比，计算添加掺杂元素；混合后，在乙醇介质中，高速球磨15—20h，用105—120℃烘干，得到前驱体，将烘干得到的前驱体置于高温炉内，在氮气氛中，经300-450℃高温煅烧2—4h，即得产品；主要用作还原、脱氧剂、食品保鲜剂；电子元件、电池原料；冶炼、合金、玻璃生产添加剂等；具有原料充足
2023-06-20
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一种对硅片表面进行沉积掺杂的工艺方法.pdf
本发明提供一种对硅表面进行沉积掺杂的工艺方法，包括一个能够容纳硅片并能够允许硅在其中进行表面沉积掺杂反应的腔室，所述腔室内能够被通入用于沉积掺杂和/或有利于沉积掺杂的气体，所述的腔室可以是密闭的，所述的腔室内可以被通入或者释放气体，所述的腔室内可以进行温控或者调压，所述的腔室内所述工艺方法在沉积掺杂的反应过程中轮流间隔地通入不同或相同的气体。本发明有益于提高掺杂浓度，并且有益于提高掺杂源的均匀分布。
2023-08-26
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锶掺杂六硼化镧单晶及其制备方法.pdf
本发明提供了一种锶元素掺杂的六硼化镧单晶体、其制备方法,及包括其的阴极器件。所述锶元素掺杂的六硼化镧单晶体的分子式为La<base:Sub>1?</base:Sub><base:Sub>x</base:Sub>Sr<base:Sub>x</base:Sub>B<base:Sub>6</base:Sub>,其中,0&lt;x&lt;1,所述单晶在阴极工作温度1300℃、外加电压1000V条件下,热发射电流密度为15～25A/cm<base:Sup>2</base:Sup>。与没有掺杂的六硼化
2023-05-25
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